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本实用新型提供一种半导体器件及其版图结构，半导体器件版图结构包括至少两层层叠的金属图形层，每层金属图形层包括至少两组金属图形和位于相邻的金属图形之间的冗余金属图形，每组冗余金属图形包括至少两个错位排布的第一冗余金属图形，如此，可以减少化学机械研磨工艺的研磨路径上的空白区域，由此改善化学机械研磨工艺研磨后的平整度，从而避免或减少在空白区域产生凹陷，进而改善半导体器件中的金属部之间的电容,使组件可靠度更稳定,提升组件时序。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220774371U
(45)授权公告日2024.04.12
(21)申请号202322328087.2
(22)申请日2023.08.28
(73)专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司
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