静电感应晶体管.docx

静电感应晶体管

静电感应器件自从七十年代产生以来，由于它自身特有的优势，在八十年代取得了迅速的发展。在这期间出现了许多形形色色的静电感应器件，其中就有静电感应晶体管(SIT)、双极型静电感应晶体管(BSIT)、静电感应晶闸管(SITH)这三种比较有价值的器件，这类器件均具有噪声低，线性度好，失真小等优点，现已广泛应用于电子行业。

2.1静电感应晶体管的基本类型

由于SIT、BSIT、SITH是静电感应器件中有代表性的三种器件，在此对它们作以简单介绍。

1、 静电感应晶体管(SIT)

SIT作为唯一一种具有类三极管特性的半导体器件，一般为常开型器件。主要有以下特点⑷：

CD是单极性器件，所以工作速度比较快；

栅极是利用pn结的反偏控制，沟道中没有来自栅极的少子注入，器件的高速开关特性优异；

器件是垂直沟道，相比于场效应晶体管，沟道更短更窄；

电压控制型器件，驱动功率小；

栅电阻小，高频信号损失小，因此高频特性优异；

无电流集中，所以耐击穿强度比较高。

2、 双极型静电感应晶体管(BSIT)

与SIT不同，BSIT工作在正栅压下，具有饱和类五极管特性，一般是常关型器件，与其他功率器件相比，具有以下优点⑷：

BSIT是多子导电器件，相比于双极型器件，稳定性更好；

与MOSFET相比，通态电阻较低；

与IGBT相比，稳定性好，工艺简单，关断时间短；

与GTO相比，关断时间短。

另外，BSIT在很宽的电流范围内都具有很高的电流放大倍数，能实现对大功率电路的控制。

3、 静电感应晶闸管(SITH)

与SIT和BSIT不同，SITH有常开型和常关型两种类型，它的结构相当于在

SIT的阳极串联了一个二极管。主要有以下特点⑷：

（1） 栅极也是应用pn结反偏控制的，所以器件的开关速度比较高;

（2） 导通沟道大部分为耗尽区占据，正向导通压降低；

（3） 电流电压容量大，阻断增益高，工作频率高。

2.2静电感应晶体管的基本结构

根据静电感应晶体管栅体结构、分布和制造工艺的不同，静电感应晶体管的基本结构可分为：埋栅型、表面栅型、复合栅型、介质盖栅型、槽栅型和双栅型结构等。这些结构都具有垂直沟道，并且栅体分居在两边，沟道被栅体环绕在中间，源极和漏极分别位于沟道的上下两个表面上。这种结构布局的器件具有高耐压，大电流的特性［3,5］。下面简单介绍这几种基本结构的器件。

表面栅结构的结构［3,5］（如图2.1所示），它的栅区和阴极源区交错地分布在同一平面上。该结构的栅区和阴极源区是利用平面扩散工艺形成的，而且栅极的制造还需要用到自对准工艺和局部氧化工艺，所以工艺难度较大，但是该结构栅阴极之间的电容C*小，频率特性比较好。这种结构对于细线条光刻的质量要GS

求特别高，因此成品率比较低，所以只有在需要着重考虑频率特性的场合才采用

这种结构。

图2.1表面栅结构

图2.2埋栅结构

埋栅结构（如图2.2所示）是利用二次外延技术把栅区和沟道区埋在外延层下面，再利用扩散的方法在外延去上面生长阴极源区。这种结构的器件栅区和阴极源区分别位于不同的层面上，而且器件的源区面积比较大，够道小，能够得到更大的阻断增益，可以提高栅阴击穿电压bugk。但是埋栅结构器件的栅极因为埋在外延层的下面，所以要用到二次外延工艺和台面刻蚀工艺，这无形中增大了工艺的难度，而且要利用台面腐蚀的方法打开栅的引线孔，还会增大栅极的输入电阻，让该器件的频率响应变得较差。

复合结构［3,5］（如图2.3所示）是利用大面积扩磷的的方法形成阴极源区，避免了难度较大的二次外延工艺和台面刻蚀工艺，避免了气相外延中的自参杂效应，提高了成品率。它是一种介于埋栅结构和表面栅结构之间的器件结构，兼有埋栅和表面栅的一些特点。该结构由于阴极源区的扩散层和栅区以及够道区存在

一定程度的杂志补偿，所以栅阴击穿电压低。

图2.3复合栅结构

图2.4介质盖栅结构

介质盖栅结构［3,5］（如图2.4所示）是在栅条表面上生长和并淀积SiO2,然后采用同步外延技术生长外延层，工艺难度比较大，但是该结构的栅源P-N结的面积小，大大降低了栅源电容。因此，该器件的频率特性好，特别适合于制造超高频、微波器件。

槽栅结构［3,5］（如图2.5所示）是利用等离子体刻蚀、扩散、氧化、化学气相淀积等工艺，将栅区埋在具有一定深度的凹槽底面，再在山区上面生长SiO2层和多晶硅层，这种结构增大了栅极区和阴极源区的距离，减小了栅阴电容，极大地改善了器件的频率特性，提高了器件的栅阴击穿电压。但是该结构的工艺难度比较大，因此很少使用。

双栅结构［3,5］（如图2.6所示）主要是对于晶闸管而设计出的一种结构。普通结构的静电感应晶闸管作为开关应用时，栅阴极加负偏压。但是该负偏压在建立势垒阻挡电子由阴极