原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
提供了非易失性存储器件、其制造方法和包括其的电子系统。所述非易失性存储器件包括：基板，其包括第一区域和第二区域；模制结构，其位于基板上，并且包括以阶梯方式交替地堆叠在彼此之上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；层间绝缘膜，其覆盖模制结构；沟道结构，其位于第一区域上，并且延伸穿过模制结构并且连接到多个栅电极；以及贯通接触，其位于第二区域上并且延伸穿过层间绝缘膜，其中，贯通接触包括位于第一沟槽中的第一部分和位于第二沟槽中的第二部分，第一部分包括：衬垫膜，其沿着第一沟槽的侧壁和底表面；以及填充膜，其位于衬垫
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117896986A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202311209036.6
(22)申请日2023.09.19
(30)优先权数据
10-2022-0131065
文档评论（0）