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本发明公开了一种量子点增强型二维半导体材料光电探测器的制备方法，包括以下步骤：一、在基底上生长得到单层或少层二维半导体材料；二、将量子点均匀涂覆在所述二维半导体材料表面，在所述二维半导体材料表面制备金属电极。本发明的量子点增强型二维半导体材料光电探测器的制备方法将可调整大小的半导体量子点与二维半导体材料相结合，构成零维‑二维混合维度的范德华异质结构。这种异质结具有较小库伦相互作用，制备过程简单，以及较少的界面态等优点。通过选取光吸收系数高的量子点材料，加之量子点材料的等离子增强作用，能够有效提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117894872A
(43)申请公布日2024.04.16
(21)申请号202311680153.0
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人南京理工大学
地址210000
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