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半导体器件物理复习重点

半导体器件是当今电子工业中最具有代表性和应用前景的重要组成部分，广泛应用于各种电子设备，例如计算机、移动电话等。在半导体器件的学习中，物理是最基本和核心的内容。本文将从四个方面，即半导体物理基础、杂质半导体、PN结、常见半导体器件，讲述半导体器件物理复习的重点。

一、半导体物理基础

半导体是一种具有介于绝缘体和导体之间电学特性的材料。在半导体中，存在着电子、空穴等自由电子。N型半导体的电子浓度多于空穴浓度，P型半导体的空穴浓度多于电子浓度。在半导体中，电子的跃迁主要与禁带宽度有关，因此对于半导体的研究，首先考虑禁带宽度。禁带宽度在晶体中决定半导体的电气特性，是达到半导体的必要条件。根据晶体结构可分为直接带隙半导体和间接带隙半导体，在它们的能带图中，空穴和电子跃迁的路径不同，从而产生不同的电气特性。

半导体的掺杂是半导体材料得以形成的主要因素之一。在制备半导体的工艺中，通过添加杂质，对半导体进行了调控，出现了N型半导体和P型半导体。掺杂的杂质称为载流子材料，P型半导体主要含有亚稳的三价元素（例如硼B，铝Al等），N型半导体含有亚稳的五价元素（例如磷P，砷As等）。掺杂后的杂质离子增加了自由电子和空穴的密度，电导率也随之增加，半导体变成了n型或p型半导体。

二、杂质半导体

杂质半导体是指在比纯元素所占比例较低的情况下，向晶体中添加少量的杂质。通过添加杂质，改变了半导体材料的电子性质，形成了新的电子能带。

1.杂质半导体中杂质的作用

（1）提供额外的载流子：添加一个少量的杂质，可以增加晶体中的杂质离子的数量，从而导致额外的电子和空穴，提高了半导体的电子导电性或正空穴导电性。

（2）控制载流子的数量：杂质可以用来控制n型半导体和P型半导体中自由电子或空穴的数量和浓度。

（3）杂质起到了屏障的作用：杂质会在空穴或电子周围形成一个屏障，使得它们不能在一起复合。

2.常见杂质

（1）五价元素：在硅中，最常用的是砷（As）和磷（P）。它们的杂质离子中，有一个外层电子数比硅原子多一个，而正好占据硅原子晶格的空位。这些杂质离子产生了一个或者多个额外的自由电子。

（2）三价元素：硼（B）和Aluminium（Alum）是最常用的三价元素。它们的杂质离子中，有一个外层电子数比硅原子少一个，而这个离子空缺，在晶体中留下了一个空穴。这样的杂质能够控制晶体中的正空穴浓度。

三、PN结

PN结是p型半导体（P）和n型半导体（N）接触处的结构。PN结是半导体器件中的基础部件，包括二极管、晶体管、成对二极管、三极管、场效应管等。PN结的形成是通过将p型半导体和n型半导体直接接触，而在p区域和n区域中发生的电子交换体现其重要性。

1.制备PN结

PN结的制备有两种方法。

（1）扩散法：将掺入了杂质的半导体材料放入高温炉中与掺有相反性杂质的气体环境中进行加热，热漂移作用使杂质的离子在材料晶格中扩散出来，与相反符号掺杂的区域混合，形成p-n结。

（2）合金法：两种拥有不同晶格常数的材料加热混合而成的结构，通过选择材料可产生p-n结。

2.PN结内部电子运动及电子转移

PN结的形成，p区的空穴会跨越结区进入n区并与n区的自由电子复合，从而在结区内形成一个空穴和自由电子的复合区域，这个区域叫做耗尽层。这时，耗尽层中，自由电子和空穴的浓度远较原有水平少，进一步形成了电势差，由p区向n区的截止电位（补偿电位）递减。当外加电压为正，表示p区高于n区，耗尽层会进一步减小，反之则增加。这样，PN结的二极管等半导体器件的基本特性就产生了。

四、常见半导体器件

常见的半导体器件包括二极管、三极管、场效应管、继电器。

1.二极管

二极管又叫做肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，简称SBD）。基本原理是利用PN结的单向导电性质，使电流只能在PN结沿一个方向通过，有正向电流和反向电流之分。特点：正向电压低，反向电容小。

2.三极管

三极管包括NPN型和PNP型，由三个区域组成，主要特点是在基极控制下，从集电极到内部的电流大口调节，是大功率、小信号调节元器件的理想选择。

3.场效应管

场效应管（FET）是一种使电流流过导体时，根据门楼得程度改变导体电子浓度的半导体器件。特点：工作在高频区间，贴近理论极限，很少耗物电功率，是小信号高频放大器、混频器等实现时不可或缺的元器件之一。

4.继电器

继电器是一种将电路的控制信号转换成电路实际运行信号的开关元件。其结构是基于PNP结实现的，通过加电控制石英中的触点闭合和开放。在大电流大电压等深度的控制与应用领域有着重要的地位。

总结

本文是关于半导体器件物理复习的指南，从四个方面，即半导体物理基础、杂质半导体、PN结、常见半导体器件，从理论知识到具体实现，对半导体的理解做了全方位而系统的概述。半导体器