碳化硅陶瓷分析和总结.docx

碳化硅陶瓷

太原工业学院 2015/2016学年第一学期

《特种陶瓷》课程论文

题目：

碳化硅陶瓷的工艺与发展方向

班级： 122073219

姓名： 刘鑫泽学号： 19

1前言

随着科技的发展，人们迫切需要开发各种新型高性能结构材料。碳化硅陶瓷由于具有多种良好的的性能，已经在许多领域大显身手，并且已经收到人们的高度重视。

2晶体结构

SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-C键的离子性仅12%左右。SiC具有α和β两种晶型。β-SiC的晶体结构为闪锌矿晶体结构立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α-SiC纤锌矿型结构，六方晶系。存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在温度低于1600℃时，SiC以β-SiC形式存在。当高于1600℃时，β-SiC缓慢转変成α-SiC的各种多型体。4H-SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成；对于6H-SiC，即使温度.超过2200℃，也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。[1]

性能与应用

性能

(1)SiC陶瓷化学稳定性好、抗氧化性强。(2)硬度高，耐磨性能好。

(3)SiC具有宽的能带间隙。(4)优良的导电性。

热稳定性好，高温强度大。

热膨胀系数小、热导率大以及抗热振和耐化学腐蚀等。[4]

应用

碳化硅的最大特点是高温强度高，有很好的耐磨损、耐腐蚀、抗蠕变性能，其热传导能力很强，仅次子氧化铍陶瓷。碳化硅陶瓷用于制造火箭喷嘴、浇注金属的喉管、热电偶套管、炉管、燃气轮机叶片及轴承、泵的密封圈、拉丝成

型模具等。SiC陶瓷已成为1400℃以上最有价值的高温结构陶瓷，在各个工业

领域中被广泛的应用。[6]

合成方法

工业上应用的SiC粉末都是人工合成的，方法主要有：

Acheson法：这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因为石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质，在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿色，杂质多的呈黑色。

化合法：在一定温度下，使高纯的硅和碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的β-SiC粉末。

热分解法：使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200-1500℃的温度范围内发生分解反应，由此制得亚微米级的β-SiC粉末。

气相反相法：使四氯化硅和四氢化硅等含硅气体及甲烷、丙烷等含碳气

体在高温下发生反应，由此制备纳米级的β-SiC超细粉。[7]

烧结工艺

无压烧结

无压烧结被认为是SiC烧结最有前途的烧结方法，根据烧结机理的不同，无压烧结又可分为固相烧结和液相烧结。S.Proehazka通过在超细β-SiC粉体

（含氧量小于2%）中同时加入适量B和C的方法，在2020℃下常压烧结成密度高于98%的SiC烧结体。A.Mulla等以Al2O3和Y2O3为添加剂在1850-1950℃烧结0.5μm的β-SiC(颗粒表面含有少量SiO2)，获得的SiC陶瓷相对密度大于理

论密度的95%，并且晶粒细小，平均尺寸为1.5μm。

热压烧结

Nadeau指出，不添加任何烧结助剂，纯SiC只有在极高的温度下才能烧结致密，于是不少人对SiC实行热压烧结工艺。关于添加烧结助剂对SiC进行热压烧结的报道已有许多。Alliegro等研究了B、Al、Ni、Fe、Cr等金属添加物对SiC致密化的影响，发现Al和Fe是促进SiC热压烧结最有效的添加剂。

F.F.Lange研究了添加不同量Al2O3对热压烧结SiC的性能影响，认为热压烧结致密是靠溶解--再沉淀机理。但是热压烧结工艺只能制备形状简单的SiC部件，

而且一次热压烧结过程中所制备的产品数量很小，因此不利于工业化生产。

热等静压烧结

为了克服传统烧结工艺存在的缺陷，Duna以B和C为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得了密度大于98%、室温抗弯强度高达600MPa左右的细晶SiC陶瓷。尽管热等静压烧结可获得形状复杂的致密SiC制品，并且制品具有较好的力学性能，但是HIP烧结必须对素坯进行包封，所以很难实现工

业化生产。

反应烧结

反应烧结S iC又称自结合SiC，是通过多孔坯件同气相或液相发生化学反应,使坯件质量增加,孔隙减小,并烧结成具有一定强度和尺寸精度的成品的工艺。是由α—SiC粉和石墨按一定比例混台