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本申请公开了一种沉淀金属薄膜的方法及量子芯片。该方法是在基底上沉积半导体薄膜，基于目标基础图案对沉积的半导体薄膜进行刻蚀，获得基础层；对基础层进行旋涂作业，以形成有预设厚度的负胶；对负胶进行紫外曝光或激光直写、显影，以在非结结构区域形成负胶柱层；对具有负胶柱层的基础层进行旋涂作业，以在结结构区域的表面和负胶柱层的表面上形成中间胶层后，对结结构区域进行电子束曝光和显影，之后在中间胶层的表面上沉积目标金属薄膜；采用目标溶剂对负胶柱层进行溶解，以将形成在负胶柱层上方的目标金属薄膜与基础层之间完全脱离。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117915756A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311631024.2
(22)申请日2023.11.30
(71)申请人阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公
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