原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种低残留、低腐蚀的半导体清洗液，以质量份计，所述清洗液包括超纯水80‑90份、六氟磷酸盐3‑8份、有机碱10‑30份、螯合剂0.1‑2份和双组份腐蚀抑制剂0.1‑1份，所述双组份腐蚀抑制剂包括A剂和B剂，A剂为腺苷、鸟苷中的至少一种，B剂为聚乙二醇二胺和二巯基聚乙二醇中的至少一种。所述清洗液尤其是通过双组份腐蚀抑制剂的使用，可以取得优异的低残留和低金属腐蚀性能，且清洗简单，在半导体清洗领域具有优异的技术效果和应用前景。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117903890A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311644292.8
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人浙江奥首材料科技有限公司
地址
文档评论（0）