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一种斜向充磁的一维海尔贝克阵列制作方法.pdfVIP

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  • 2024-04-20 发布于四川
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一种斜向充磁的一维海尔贝克阵列制作方法.pdf

    本发明涉及磁悬浮直线/平面电机制造技术领域，公开了一种斜向充磁的一维海尔贝克阵列制作方法，其中一维海尔贝克阵列包括磁块一、磁块二、磁块三、磁块四、磁块五和磁块六，所述磁块一、磁块二、磁块三、磁块四、磁块五和磁块六依次按顺序排列，所述磁块一、磁块二、磁块三、磁块四、磁块五和磁块六紧贴后形成一个海尔贝克阵列周期，多个周期沿宽度方向循环排布，所述磁块一和所述磁块四磁化强度为一标准单位Br，所述磁块二、磁块三、磁块五、磁块六磁化强度均为Br/tanθ，所述斜向充磁角θ＝67.5°。通过引入了新的充磁方式

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117914086A

    (43)申请公布日2024.04.19

    (21)申请号202410088092.7

    (22)申请日2024.01.22

    (71)申请人云南海力特电气自

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