带有复合保护环结构的雪崩光电二极管及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

14
0
约9.86千字
约 11页
2024-04-20 发布于四川
举报
版权申诉

带有复合保护环结构的雪崩光电二极管及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及一种带有复合保护环结构的雪崩光电二极管及其制作方法，属于电子器件领域。该二极管结构包括：衬底；在衬底表面外延形成的吸收区；在吸收区中通过第一导电类型的离子掺杂形成的雪崩区；在雪崩区表面通过第二导电类型的离子掺杂形成的光敏区；在雪崩区和光敏区边缘通过第二导电类型的离子掺杂形成的第一保护环；在第一保护环边缘通过第二导电类型的离子掺杂形成的第二保护环；部分覆盖二极管器件表面的场氧化层；全部覆盖二极管器件表面的复合介质层；以及二极管器件阴极和阳极的电极。本发明通过复合保护环结构优化了器件光敏区

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117913174A

(43)申请公布日2024.04.19

(21)申请号202410030011.8

(22)申请日2024.01.09

(71)申请人中国电子科技集团

您可能关注的文档

文档评论（0）

知识产权出版社 + 关注: 官方认证

文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

咨询Ta 进入空间

用户编号：5333241143000144

认证主体北京中献电子技术开发有限公司

IP属地四川

统一社会信用代码/组织机构代码: 91110108102011667U

1亿VIP精品文档

更多 >

带有复合保护环结构的雪崩光电二极管及其制作方法.pdfVIP