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本发明公开一种梯形凹槽的刻蚀方法及金属线条的制备方法，涉及半导体技术领域，以在利用电子束胶形成梯形凹槽时，能够对梯形凹槽的开口进行单独调整，从而提高梯形凹槽的形貌质量。所述梯形凹槽的刻蚀方法包括：在衬底上形成显影可溶层。在显影可溶层上形成电子束胶层。通过电子束对电子束胶层进行曝光处理。依次对电子束胶层以及显影可溶层进行显影处理，形成梯形凹槽；其中，梯形凹槽的底部开口大小是通过调整对显影可溶层的显影时间来实现的。所述金属线条的制备方法包括采用上述技术方案所提的刻蚀方法在衬底上形成梯形凹槽；向梯形凹
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117912936A
(43)申请公布日2024.04.19
(21)申请号202311723777.6
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人中国科学院微电子研究所
地址1
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