多晶硅成品规范.pdfVIP

多晶硅成品规范

1范围

本文件规定了太阳能级多晶硅的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则以及包装、标志、运输

及贮存。

本文件适用于改良西门子法生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、粒状多晶硅。产品主要用于太阳能级

单晶棒和定向凝固多晶硅锭的生产。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T1551硅单晶电阻率测试方法

GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法

GB/T4060硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T13389掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

GB/T14264半导体材料术语

GB/T14844半导体材料牌号表示方法

GB/T24581低温傅里叶变换红外光谱法测量单晶硅中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法

GB/T24582酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质

GB/T25074太阳能级多晶硅

GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

GB/T29849光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

GB/T31854光伏电池用硅材料中金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

致密料：表面及断面结构应致密，硅棒表面应平整、表面凹凸小于5mm的硅料。

疏松料：表面凹凸5-20mm，内部缝隙小于20mm，或内部带有孔洞的硅料。

珊瑚料：内部缝隙≥20mm，结构疏松，针状或内部带有孔、夹缝的硅料。

4产品分类

1

产品按外形分为棒状、块状和粒状多晶硅。

5技术要求

5.1内在质量

表1太阳能级多晶硅等级指标

太阳能级多晶硅等级指标

项目

特级品一级品二级品三级品

施主杂质浓度ppba≤0.40≤0.68≤1.61≤3.16

受主杂质浓度ppba≤0.15≤0.26≤0.45≤1.66

基磷电阻率Ω·cm≥350≥200≥100≥60

基硼电阻率Ω·cm≥1000≥500≥300≥100

少数载流子寿命μs≥500≥300≥200≥100

氧浓度atoms/cm3≤0.2×1017≤0.5×1017≤1.0×1017≤1.0×1017

碳浓度atoms/cm3≤1.0×1016≤1.5×1016≤2.0×1016≤3.0×1016

基体金属杂质含量

≤2≤3≤5≤10

/(ng/g)

Fe、Cr、Ni、Cu、Zn

表面金属杂质含量

≤3≤5≤10