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多晶硅区熔用方籽晶通用技术要求
1范围
本文件规定了太阳能级多晶硅区熔用方籽晶的技术要求和试验方法。
本文件适用于将晶向为111的单晶硅棒开方后按一定厚度切割得到的多晶硅区熔用方籽晶。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555半导体单晶晶向测定方法
GB/T14264半导体材料术语
GB/T30453硅材料原生缺陷图谱
3术语和定义
GB/T14264和GB/T30453界定的术语和定义适用于本文件。
4要求
4.1外观
4.1.1崩边和缺口的数量总数≤1，缺口宽度≤0.2mm，缺口深度≤0.2mm。
4.1.2圆角数量≤1，圆角弦长c≤2mm。
4.1.3表面质量要求表面洁净、需抛光（化学）、无沾污、无手印。
4.2规格尺寸
规格尺寸要求见表1.
表1规格尺寸要求
项目要求
边长/mm5*5*60，或由供需双方商定
同批次边长偏差/mm±0.05mm
4.3性能
4.3.1导电性好为N型或供需双方商定。
4.3.2晶向偏离度＜5°。
4.3.3间隙氧含量≤1.0*1018atoms/cm3。
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4.3.4代位碳含量≤5*1017atoms/cm3。
4.3.5晶体完整性要求无星行结构、无六角网络、无旋涡、无孔洞和杂质、无杂质条纹。
4.3.6位错密度≤500个/cm2，且无滑移位错。
5试验方法
5.1外观
5.1.1崩边、缺口、圆角弦长采用游标卡尺或响应精度的仪器进行。
5.1.2表面质量采用目视法进行。
5.2规格尺寸
5.2.1边长、厚度检验采用游标卡尺或响应精度的仪器进行。
5.2.2相邻两边垂直度检验采用万能角度尺或相应精度的量具进行。
5.3性能
5.3.1导电型号的检验按GB/T1550的规定进行。
5.3.2晶向及晶向偏离度检验按GB/T1555进行或由供需双方协商确定。
5.3.3间隙氧含量的检验按GB/T1557的规定进行。
5.3.4代位碳含量的检验按GB/T1558的规定进行。
5.3.5位错密度的检验按GB/T4058的规定进行或由供需双方协商确定
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