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MEMS制程:简要介绍一下前段制程的特点及涉及的设备

MEMS 制造是基于半导体制造技术上发展起来的；它融合了扩散、薄膜

（PVD/CVD）、光刻、刻蚀（干法刻蚀、湿法腐蚀）等工艺作为前段制程，继以减薄、切割、封装与测试为后段，辅以精密的检测仪器来严格把控工艺要求，来实现其设计要求。MEMS制程各工艺相关设备的极限能力又是限定器件尺寸的关键要素，且其相互之间的配套方能实现购备成本的最低；下面先简要介绍一下前段制程的特点及涉及的设备。

扩散工艺：

MEMS生产中的扩散指工艺所需要的杂质在一定条件下对硅（或其他衬底）的掺杂。如在硅中掺磷、硼等。广义上讲，氧化与退火也是一种扩散；前者指氧气在SiO2中的扩散，后者指杂质在硅（或其他衬底）中的扩散。其目的是要为了改变原材料的电学特性或化学特性。

如下图是扩散炉，其三根管（上/中/下）的正常分配如FATRIUTC的分配：氧化炉，扩散炉，合金炉，分别用于形成SiO2，扩散杂质，键合后进行合金工艺。

炉管的主要关注技术数据且其通常的参数有（以FATRIUTC为例）：可加工硅片尺寸（4”6”圆片），可配石英管最大外径（Φ220mm），工作温度范围（600℃~1200℃），恒温区长度及精度【氧化/扩散（900℃~1200℃500mm/±0.5℃），退火合金（600℃~900℃500mm/

±1℃）】，升温时间（从室温至1200℃≤90min），温度斜变能力【最大可控升温速度（600℃

~1200℃15℃/min），最大降温速度（ 1200℃~900℃5℃/min）】，送料装置【行程

（~1600mm），速度（30~1000mm/min），承载能力（≤12kg）】，净化台工作等级（静态在10000级厂房达100级），气体流量设定精度（±1%F.S.），气路系统气密性（1×10-7pa.m3/s），设备外形尺寸（5270×1140×2455L/W/Hmm），供电电源（三相五线~380V50Hz）。

如下是RTP机台图片及其特性参数；RTP（快速热退火）是用各种热辐照源，直接照射在样品表面上，迅速将样品加热至700~1200℃左右在几秒~几十秒的时间内完成退火的工艺；