GaN电力电子器件的驱动电路设计与仿真.docx

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2024-04-28 发布于湖北
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GaN电力电子器件的驱动电路设计与仿真

DesignandSimulationofdrivingcircuitforGaNpowerelectronicdevices

Ⅰ

摘要

GaN电力电子器件器件具备优异的电气性能，具有Si基半导体器件难以比拟的巨大应用优势和潜力。在实际应用中，GaN晶体管的优良性能的充分发挥与栅极驱动电路设计密切相关。但是驱动电路在设计上面临着GaN晶体管阈值电压低、栅极电压安全范围小、需要负压关断等挑战。SiMOSFET采取的驱动方案不适用于GaN晶体管。因此，本文将针对N沟道增强型GaN电力电子器件设计适用的驱动电路，并对其进行分析验证。