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700VVDMOS设计的中期报告

本次中期报告将围绕着700VVDMOS器件的设计进行介绍和分析。

1.设计目标与参数确定

目标：设计一款700VVDMOS功率器件，用于高电压应用中。

参数确定：

-最大耐压：700V

-输出电阻：100mΩ

-饱和电流：20A

-封装形式：TO-247

2.设计流程

VDMOS器件设计的流程如下：

-电路仿真和设备选择

-晶体管结构设计

-掩模设计

-工艺制备

-封装测试

3.设计分析

在进行电路仿真时，首先需要选择器件。由于设计的是700VVDMOS功率器件，所以选择了STMicroelectronics的MTP10P06，它是一款适用于N沟道增强模式功率场效应晶体管的P硅基材料器件，最大耐压为60V，能承受20A的电流，输出电阻为160mΩ。

接下来，进行晶体管结构设计。在设计过程中，需要注意以下几点：

-输出电阻：电路需要产生一个低电阻通道，来提高输出电压并防止功率集中损失。

-耐压：需要确定设计目标中指定的最大耐压，以确保晶体管在使用时能够安全地操作。

-饱和电流：饱和电流是指晶体管可以承受的最大电流，应在设计中确定。

根据以上设计目标，在此设计中使用了并联的电流线，最终完成了VDMOS晶体管结构的设计。

在完成晶体管结构设计后，接下来进行掩模设计。此步骤需要使用专业的软件，根据设计的晶体管结构，进行设计。

制备工艺是VDMOS器件设计中非常关键的一步。在此步骤中需要注意以下几点：

-清洗晶片：需要使用一种适合的清洗液来清洗晶片表面，以便在后续工艺中更好地涂上感光树脂。

-涂覆感光树脂：选择一种合适的感光树脂，涂覆在晶片上，以便制作出所需的结构。

-掩膜曝光：将掩膜与晶片结合起来，进行曝光，以便制造出所需的结构。在这个过程中，要确保晶片上的所有感光树脂都暴露在光线下，以便能够清楚地看到晶片上的所有细节。

-蚀刻：使用化学方法将不需要的金属蚀掉，以便制造出所需的结构。

最后，进行封装测试。进行封装测试可以确保晶体管制作出来后符合设计规格，并且可以在高压应用中成功运行。

4.总结

通过以上设计流程，成功完成了700VVDMOS功率器件的设计。接下来，需要进行性能测试，以便确认器件是否符合设计规格。在后面的工作中，还需要进一步加工和优化VDMOS器件的制造工艺，以确保其质量和性能的稳定和可靠。