GB/T 6616-2009半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法　非接触涡流法.pdf

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中华人民共和国国家标准

／—

犌犅犜６６１６２００９

代替／—

ＧＢＴ６６１６１９９５

半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层

电阻测试方法非接触涡流法

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２００９１０３０发布２０１００６０１实施

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局

发布

中国国家标准化管理委员会

／—

犌犅犜６６１６２００９

前言

本标准修改采用了《用非接触涡流法测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的

ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５

方法》。

本标准与ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５相比主要变化如下：

———本标准范围中只包括硅半导体材料，去掉了范围中对于其他半导体晶片的适用对象；

———本标准未采用ＳＥＭＩＭＦ６７３１１０５中局部范围测量的方法；

Ⅱ

———未采用标准中关键词章节以适合／的要求。

ＳＥＭＩＧＢＴ１．１

本标准代替／—《半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法》。

ＧＢＴ６６１６１９９５

本标准与／—相比，主要有如下变化：

ＧＢＴ６６１６１９９５

———调整了本标准测量直径或边长范围为大于２５ｍｍ；

———增加了引用标准；

———修改了第章中的公式为ρ１１，并增加了电导率；

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———修改了第章中参考片电阻率的值与表指定值之偏差为小于；