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三极管分类和作用

（时间:2007-03-12共有 人次浏览）

半导体三极管亦称双极型晶体管，其种类非常多。按照结构工艺分类，有PNP和NPN型；按照制造材料分类，有锗管和硅管；按照工作频率分类，有低频管和高频管；一般低频管用以处理频率在3MHz以下的电路中，高频管的工作频率可以达到几百兆赫。按照允许耗散的功率大小分类，有小功率管和大功率管；一般小功率管的额定功耗在1W以下，而大功率管的额定功耗可达几十瓦以上。常见的半导体三极管外型见图2.5.1。

图2.5.1半导体三极管外形图

U共射电流放大系数β。β值一般在20～200，它是表征三极管电流放大作用的最主要的参数。反向击穿电压值。指基极开路时加在c、e两端电压的最大允许值，一般为几十伏，

U

(BR)CEO

高压大功率管可达千伏以上。

I I β最大集电极电流。指由于三极管集电极电流过大使值下降到规定允许值时的电流

I I β

CM C

般指β值下降到2/3正常值时的IC值）。实际管子在工作时超过ICM并不一定损坏，但管子的性能将变差。

P最大管耗。指根据三极管允许的最高结温而定出的集电结最大允许耗散功率。在实际工

P

CM

作中三极管的IC与UCE的乘积要小于PCM值，反之则可能烧坏管子。

I I I穿透电流。指在三极管基极电流=0

I I I

CEO B C

电流失控的程度。小功率硅管的ICEO约为0.1mA，锗管的值要比它大1000倍，大功率硅管的ICEO约为mA数量级。

T T特征频率f。指三极管的β值下降到1时所对应的工作频率。f的典型值约在100～

T T

之间，实际工作频率。

半导体器件的命名方法

中国半导体器件的命名法

根据中华人民共和国国家标准，半导体器件型号由五部分组成，其每一部分的含义见表

2-15。

2 二极管 A N型锗材料

2 二极管 A N型锗材料

BP型锗材料CN型硅材料DP型硅材料

3 三极管 A

BCDE

PNP型锗材

料

NPN型锗材料

PNP型硅材料

NPN型硅材料

化合物材料

PVWCZLSNUK

XGDAU

K

普通管

微波管稳压管参量管整流管整流堆隧道管阻尼管光电器件开关管

低频小功率管（fT

＜1W）

＞3MHz,PC

高频小功率管（fT

＜1W）

低频大功率

≥3MHz,P

C

（fT

≤3MHz,P≥1W）

C

高频大功率

（fT

≥3MHz,P≥1W）

C

光电器件

开关管

可控整流器Y体效应器件B雪崩管

阶跃恢复管

CS场效应器件

BT半导体特殊器件

FH复合管

PINPIN型管

JG激光器件

第一部分

第二部分

第 三 部 分

第四部分

第五部分

用数字表示器

件的电极数

目

用汉语拼音字母表示

器件的材料和极

性

用汉语拼音字母表示器件的类别

用数字表示

器件序号

用汉语拼音字

母表示规格

号

符号

意

义

符号

意

义

符号

意

义

例如3AD50C表示低频大功率PNP型锗管；3DG6E表示高频小功率NPN型硅管。

美国半导体器件命名法

第一部分第二部分第三部分第四部分用符号表示器件用数字表示PN结数 用数字表示器用字母表示材料的等级 目 件登记序号第五部分

第一部分

第二部分

第三部分

第四部分

用符号表示器件用数字表示PN结数 用数字表示器用字母表示材料

的等级 目 件登记序号

第五部分

用字母表示同一器件的不同档次

符

号

意 义

符号

意

义

符号

意 义

符号 意 义

符号 意 义

J

无

军品非军品

1

2

3

二极管

三极管四极管

N

表示不加热即半导体器件

2～4位登记顺数字 序号

A、B 表示器

、

件改进

C…

型

例如1N4148表示开关二极管，2N3464表示高频大功率NPN型硅管。

日本半导体器件命名法

日本半导体器件型号共用五部分组成，其表示方法如2-17。

第一部分第二部分第 三 部 分用数字表示器件

第一部分

第二部分

第 三 部 分

用数字表示器件用字母表示半导 用拉丁字母表示

的电极数目 体器件 器件的结构和类型

第四部分第五部分

用2～3位数字用拉丁字母表示表示器件登记同一种型号器件顺序号的改进型

符号意 义

符号 意 义

符号意 义

0

1

光电器件

二极管

S

半导体器 A

件

2 三极管 B

3

有三个PN结

的器件

C

D

FGHJ

K

高频PNP型三极管快速开关三极管

低频大功率

PNP管

高频及快速开关NPN三极管低频大功率NPN管

P