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增强型等离子体合干法刻蚀条件对PR胶灰化的影响

王亮;王文青;李鑫;吴成龙;郑云友;宋泳珍;李伟;李正勳

【摘要】通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合

模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响.研究结果表明:在一定范围内

随着压力的不断增大,PR的刻蚀速率逐渐增大,同时刻蚀的均匀性也逐渐变好,H/V

逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小,而刻蚀均匀

度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显,但

刻蚀的均匀性逐渐变好,H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时,

同时增加O2和SF6流量,PR灰化速率会先增加后减小,均匀性数值和H/V比值先

减小后增大.%TheeffectsothePRashingrate,uiformityadH/Vratio

wereresearchediprocessofECCPdryetchmodelwhethegasflowrate

adpressurechanged.TheresultsshowthatPRashingrateadthevalue

ofH/Vwouldenlargewiththeincreasingpressureiacertairange.At

thesametimetheuiformityalsograduallychangedforthebetter.The

ashingratewouldfirstincreaseadthedecreasewhetheSF6flowrate

increased.ButithistimethevalueofH/Vhadonecontrarylaw.ThePR

ashingratedidnotchangesigificantlybutthevalueofuiformity

becamesmallergraduallywheincreasedtheO2flowrateonly.Whethe

flowrateofSF6adO2increasedbuthadoneconstantlowproportio,

theetchingrateofPRincreasedfirstadthedecreased,theuiformity

adH/Vratiohadoneoppositechange.

【期刊名称】《液晶与显示》

【年(卷),期】2012(027)002

【总页数】4页(P204-207)

【关键词】干法刻蚀;增强型阴极等离子耦合;PR灰化速率

【作者】王亮;王文青;李鑫;吴成龙;郑云友;宋泳珍;李伟;李正勳

【作者单位】北京京东方显示技术有限公司,北京100176;北京京东方显示技术有

限公司,北京100176;北京京东方显示技术有限公司,北京100176;北京京东方显示

技术有限公司,北京100176;北京京东方显示技术有限公司,北京100176;北京京东

方显示技术有限公司,北京100176;北京京东方显示技术有限公司,北京100176;北

京京东方显示技术有限公司,北京100176

【正文语种】中文

1引言

PR胶的灰化过程对形成TFT沟道部位及其TFTPatter起着十分重要的作用，工

艺过程中对于TFTChael部位采用HalfToe方式，通过干法刻蚀进行。郑载

润［1］研究了京东方5代线O2／SF6混合气体对光刻胶的离子刻蚀。在北京5

代线工厂采用的是5Mas工艺，但是Mas越多就会增加工艺流程和设备资金投

入，因此越来越多的公司采用4Mas工艺［2］，但是4Mas工艺技术难点比较

多，比如金属复合层刻蚀之后可能会造成金属残留，严重时会使绝缘层断裂，造成

产品不良［3］，针对此情况蒋冬华［4］通过调整信号线的刻蚀时间对此问题进

行了研究。除此之外阵列金属被腐蚀也是常见的不良现象［5］。对京东方8.5代

线TFT制造工艺进行了改善，主要采用1＋4Mas，刻蚀工艺采用ECCP方式。

增强阴极等离子耦合（EnhancedCapacitiv