《电工电子技术》课件——1.半导体基础.pptxVIP

知方向?晓规律?懂原理电工电子技术半导体基础及PN结的特性

半导体概述铜金属铁金属橡胶塑料硅晶体锗晶体导体半导体绝缘体

半导体材料的特点半导体的导电能力，受到光和热的影响。光照?导电能力?T?导电能力?纯净的半导体中加入杂质后，导电能力大大增强。

本征半导体本征半导体：就是完全纯净的半导体。本征激发：就是半导体受到光照或温度升高时，外层价电子会脱离原子核的束缚，形成自由电子。空穴：产生一个自由电子的同时，就会产生一个空穴。空穴SiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSi正离子核自由电子

本征半导体的导电特性在半导体的两端加上外电压时，半导体中将出现两部分电流：（1）电子电流：自由电子作定向运动；（2）空穴电流：空穴不断被价电子填补，所产生的运动。载流子

杂质半导体本征半导体的载流子浓度低、导电能力差。为了改善其导电性能，在本征半导体中掺入微量的杂质元素，可以提高载流子浓度，把掺杂后的半导体称为杂质半导体。

N型半导体本征半导体中掺入五价元素（如磷原子）后，磷原子只有四个价电子能与周围原子中的价电子形成共价键，多余的一个价电子因不受共价键束缚而成为自由电子。磷原子多余的外层电子SiSiSiP+SiSiSiSiSiSiSiSiSi

P型半导体本征半导体中掺入三价元素（如硼原子）后，硼原子只有三个价电子能与周围原子中的价电子形成共价键，缺少一个价电子形成共价键而留下一个空穴。Si缺少价电子留下的空穴SiSiSiB－SiSiSiSiSiSiSiSi

PN结采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体和N型半导体制作在同一基片上，在它们交界面所形成的空间电荷区，就称为PN结。

PN结的形成P区N区扩散运动多子浓度差漂移运动扩散运动漂移运动动态平衡内电场空间电荷区/耗尽层阻挡层

PN结的单向导电特性（1）PN结正偏：P区接负极，N区接正极。P区N区IF

PN结的单向导电特性（2）PN结反偏：P区接正极，N区接负极。P区N区IR

总结半导体杂质半导体PN结的形成PN结的单向导电性