《电工电子技术》课件——三极管.pptxVIP

;复习：;1三极管的结构和工作原理;三极管的不同封装形式;半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。

两种类型的三极管;NPN型三极管图符号;以NPN型三极管为例讨论;结构特点：;（1）内部条件：;b;b;晶体管芯结构剖面图;晶体管实现电流放大作用的外部条件;晶体管的电流分配关系动画演示;?为电流放大倍数。;一组三极管电流关系典型数据;(a)NPN型三极管;(b)PNP型三极管

三极管的电流分配关系;交流放大性能,用β表示,即：;由上表可知：两个电流概念

（1）反向饱和电流（ICBO）:当IE＝０时,即发射极开路,IC=一IB。集电结加反偏电压，引起少子的定向运动，形成一个由集电区流向基区的电流。

（3）穿透电流（ICEO）：基极开路,IC=IE≠０,此电流称为集电极－发射极的穿透电流,用ICEO表示。;结论;知识点：;

;复习：;三极管的特性曲线;;(2)输出特性曲线;;当IB一定时，从发射区扩散到基区的电子数大致一定。当UCE超过1V以后，这些电子的绝大部分被拉入集电区而形成集电极电流IC。之后即使UCE继续增大，集电极电流IC也不会再有明显的增加，具有恒流特性。;;输出特性三个区域的特点:;(2)饱和区

发射结正偏，集电结正偏，即UCE?UBE，?IBIC，UCE的值很小；称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。

一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V；三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通。;(3)截止区

UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO?0，三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开;晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。;直流参数：、、ICBO、ICEO;总结：;

;复习：;例3AX81;2、判别三极管的管型和管脚

（1）根据三极管外壳上的型号,初判其类型

（2）根据三极管的外形特点,初判其管脚;典型三极管的管脚排列图;①判断基极B和管子类型;（3）如一个阻值为无穷大，另一个为小数值，则黑表棒假定的B极错误，需重新假定直致找到为止。;具有“β或hFE”挡的万用表测量（如MF47）

下图测电流的放大系数将万用表置于“hFE”挡，如图所示将三极管插入测量插座（基极插入b孔，另两管脚随意插入），记下β读数。再将另两管脚对调后插入，也记下β读数。两次测量中，β读数大的那一次管脚插入是正确的。测量时需注意NPN管和PNP管应插入各自相应的插座。;没有“β或hFE”挡的万用表测量（如MF30）将万用表置于“R×1K”挡（以NPN管为例），红表笔接基极以外另一管脚，左手拇指与中指将黑表笔与基极以外的另一管脚捏在一起，同时用左手食指触摸余下的管脚，这时表针应向右摆动。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次测量中，表针摆动幅度较大的那一次，黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。表针摆动幅度越大，说明被测三极管的β值越大。（如图所示）;4）判断管子的材料

根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点,来判断其材料。

一般常温下,锗管正向压降为0.2～0.3V,硅管的正向压降为0.6～0.7V。根据图2.14电路进行测量,由电压表的读数大小确定是硅管还是锗管。

;[例1]:三极管工作状态的判断;例2:用直流电压表测得放大电路中晶体管T1各电极的对地电位分别为V1=+10V，V2=0V，V3=+0.7V，如图（a）所示,T2管各电极电位V1=+0V，V2=-0.3V，V3=-5V，如图（b）所示，试判断T1和T2各是何类型、何材料的管子，x、y、z各是何电极？

;（1）在图（a）中，3与2的电压为0.7V，可确定为硅管，因为V1V3V2,，所以1为集电极，3为发射极，2为基极，满足VCVBVE,的关系，管子为NPN型。;例题3:测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为：

（1）U1=3.5V、U2=2.8V、U3=12V

（2）U1=3V、U2=2.8V、U3=12V

（3）U1=6V、U2=11.3V、U