二硒化钼纳米材料的可控制备及其表征.docxVIP

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2024-05-08 发布于湖南
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二硒化钼纳米材料的可控制备及其表征.docx

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概述:本文旨在研究二维过渡金属硫族化合物regelmDCs的可控制备及其表征，探讨了调控过渡金属硫族化合物的生长因素对MoSe2纳米材料性能的影响。基于此，我们提出了一种可能用于控制MoSe2纳米带生长的方法。该方法包括使用化学气相沉积(CVD)法制备MoSe2纳米材料并观察其微纳结构。实验结果显示，MoSe2纳米材料的表征符合预期，证明了我们的理论模型的正确性和有效性。综上所述，本文的成功在于通过对比不同条件下的MoSe2纳米材料的生长效率以及对MoSe2纳米带的生长机制的理解，为

论文(设计)题目:二硒化钼纳米材料的可控制备及其表征

内容提要

自从石墨烯的优异特性在世界上掀起了二维材料研究的浪潮，然而石墨烯具备零带隙的特点，这限制了它在开关器件、逻辑器件等半导体器件方面的应用。因此，研究者们开始将目光转向了二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)。单层和多层过渡金属硫族化合物具备良好的导电性、高载流子迁移率、良好的机械性能和光学性能。

本文工作主要以MoSe2为研究对象，采用化学气相沉积(CVD)法制备MoSe2纳米材料，用光学显微镜、拉曼光谱、原子力显微镜和扫描电子显微镜等对样品微纳结构进行表征，实验结果表明，本次制备的MoSe2纳米材料样品是合格的。