chapter14二极管和晶体管.pptVIP

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1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和

电流放大作用；

2.了解二极管、稳压管和三极管的根本构造、工

作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；

3.会分析含有二极管的电路。;学会用工程观点分析问题，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。

对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。

器件是非线性的、特性有分散性、RC的值有误差、工程上允许一定的误差、采用合理估算的方法。;14.1半导体的导电特性;完全纯洁的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。如纯硅〔核电荷数为＋14〕、纯锗〔核电荷数为＋32〕;晶体中原子的排列方式;;;;光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。;14.1.2N型半导体和P型半导体(杂质半导体);掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或P型半导体。;1.在杂质半导体中多子的数量与

〔a.掺杂浓度、b.温度〕有关。;14.2PN结;14.2.2PN结的单向导电性;+

+

+;PN结变宽;14.3.1根本结构;用于集成电路制作工艺中。PN结结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。;14.3.2伏安特性;14.3.3主要参数;二极管的单向导电性;二极管电路分析举例;电路如图，求：UAB〔A、B两点开路〕;〔1〕取B点作参考点，断开二极管;VaVb，二极管导通，可看作短路uo=8V

VaVb，二极管截止，可看作开路uo=ui;14.4稳压二极管;3.主要参数;(4)稳定电流IZ、最大稳定电流IZM;14.5半导体三极管;;基区：最薄，

掺杂浓度最低;14.5.2电流分配和放大原理;晶体管电流放大的实验电路;晶体管电流测量数据;C

T

E;;3.三极管内部载流子的运动规律;特性曲线;发射极是输入回路、输出回路的公共端。〔基极输入、集电极输出〕。;死区电压：

硅管0.5V，锗管0.1V。;2.输出特性;;;3DG100晶体管的输出特性曲线;当晶体管饱和时，UCE?0，发射极与集电极之间如同一个??关的接通，其间电阻很小，相当于开关闭合。;?0

?0;主要参数;例：在UCE=6V时，在Q1点IB=40?A,IC=1.5mA；

在Q2点IB=60?A,IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;4.集电极最大允许电流ICM;;晶体管参数与温度的关系;14.6光电器件;14.6.2光电二极管;14.6.2光电晶体管