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光刻技术高效应用发展以及

应用

光刻技术的发展史

v在微电子制造技术中，最为关键的是用于电

路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的

研究与开发，在每一代集成电路技术的更新

中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电

子领域最引人关注的热点，就是即将到来的

光刻技术变革，这一变革将对整个微电子制

造技术的发展产生深远的影响。

光刻技术的发展史

v光刻技术是利用光学复制的方法把超小图样

刻印到半导体薄片上来制作复杂电路的技术。

光刻技术是微制造领域最为成功的技术。自

从它在1959年被发明以来，就成为半导体工

业最有用的工具。迄今为止，基本上所有的

集成电路都是通过它制造的。

光刻的原理与评价指标

v光刻的原理与印相片相同，涂在硅片上的光刻胶相当于相纸，

掩模相当于底片。用特定波长的光照射光刻胶，光刻胶有感

光性和抗蚀性即正负性两种类型。正胶曝光部分在显影液中

被溶解，没有曝光的胶层留下；负胶的曝光部分在显影液中

不溶解，而没有曝光的胶层却被溶解掉。经过显影，则显出

光刻图形。光学光刻是由投影光学系统和掩模版相结合来产

生光刻图形的。曝光方式普遍采用分布重复投影式曝光，即

将一组图形重复上百次制作在一大片硅片上。

v评价光刻质量的指标主要有分辨率（单位长度上可分辨的高

反差线对数）、光刻精度（线宽尺寸控制及套刻精度）、产

率和成品率等。影响光刻质量的主要因素有曝光系统、曝光

方式、光掩模、光刻胶和刻蚀方法等。

光刻的基本概念

v光刻处于硅片加工过程的中心，这可以通过

在各制造工艺中如何从光刻工艺流进流出中

证明（见下图）。光刻常被认为是IC制造中

最关键的步骤，需要高性能以便结合其他工

艺获得高成品率。据估计，光刻成本在整个

硅片加工成本中几乎占不到三分之一。

硅片制造工艺流程

v转移到硅片表面的光刻图形的形状完全取决于硅片

层面的构成。图形可能是硅片上的半导体器件、隔

离槽、接触孔、金属互连线以及互联金属层的通孔。

这些图形被转移到光敏光刻胶材料上，为进行刻蚀

或离子注入的衬底做好准备。形成的光刻胶图形是

三维的，因为光刻胶中的图形具有长、宽、高（见

下图）。在一个硅片上可能有成百个完全相同的芯

片，每一个都需要将合适的图形转移到管芯上。

光刻胶的三维图形

光刻工艺的8个基本步骤

v光刻工艺是一个复杂过程，它有很多影响其

工艺宽容度的工艺变量。例如

v减小的特征尺寸、对准偏差、掩膜层数目以

及硅片表面的清洁度。为方便起见，我们可

以将光刻的图形形成过程分为8个步骤（见下

图）。

光刻的8个步骤

步骤1：气相成底膜处理

v光刻的第一步是清洗、脱水和硅片表面成底膜处理。

这些步骤的目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。

v硅片清洗包括湿法清洗和去离子水冲洗以去除沾污

物，大多数的硅片清洗工作在进入光刻工作间之前

进行。脱水致干烘焙在一个封闭腔内完成，以除去

吸附在硅片表面的大部分水汽。硅片表面必须是清

洁干燥的。脱水烘焙后硅片立即要用六甲基二硅胺

烷（HMDS）进行成膜处理，它起到了粘附促进剂

的作用。

步骤2：旋转涂胶

v成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上液相光

刻胶材料。硅片被固定在一个真空载片台上，它是一个表面

上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。

一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后对喷旋转得到一层

均匀的光刻胶涂层见下图。

v不同的光刻胶要求不同的旋转涂胶条件，例如最初慢速旋转

（例如500rpm），接下来跃变到最大转速3000rpm或者更

高。一些光刻胶应用的重要质量指标是时间、速度、厚度、

均匀性、颗粒沾污以及光刻胶缺陷，如针孔。

旋转涂胶

步骤3：烘焙

v光刻胶被涂到硅片表面后必须要经过软烘，

软烘的目的是去除光刻胶中的溶剂。软烘提

高了粘附