化学气相沉积.ppt

化学气相沉积——等离子化学气相沉积★等离子化学气相沉积在普通CVD技术中，产生沉积反应所需要的能量是各种方式加热衬底和反应气体，因此，薄膜沉积温度一般较高（多数在900~1000℃）。容易引起基板变形和组织上的变化，容易降低基板材料的机械性能；基板材料与膜层材料在高温下会相互扩散，形成某些脆性相，降低了两者的结合力。第85页,共98页，2024年2月25日，星期天如果能在反应室内形成低温等离子体（如辉光放电），则可以利用在等离子状态下粒子具有的较高能量，为化学气相反应提供所需的激活能，使沉积温度降低。这种等离子体参与的化学气相沉积称为等离子化学气相沉积。用来制备化合物薄膜、非晶薄膜、外延薄膜、超导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线。等离子化学气相沉积：PlasmaCVDPlasmaAssociatedCVDPlasmaEnhancedCVD这里称PECVD第86页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积PECVD是指利用辉光放电的物理作用来激活化学气相沉积反应的CVD技术。它既包括了化学气相沉积技术，又有辉光放电的增强作用。既有热化学反应，又有等离子体化学反应。广泛应用于微电子学、光电子学、太阳能利用等领域，按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型。直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVD）微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD）电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-PCVD）第87页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积第88页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积第89页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积第90页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子体在CVD中的作用：将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度；加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率；对基片和薄膜具有溅射清洗作用，溅射掉结合不牢的粒子，提高了薄膜和基片的附着力；由于原子、分子、离子和电子相互碰撞，使形成薄膜的厚度均匀。第91页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——等离子化学气相沉积PECVD的优点：低温成膜（300-350℃），对基片影响小，避免了高温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆性相；低压下形成薄膜，膜厚及成分较均匀、针孔少、膜层致密、内应力小，不易产生裂纹；扩大了CVD应用范围，特别是在不同基片上制备金属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜等；薄膜的附着力大于普通CVD。第92页,共98页，2024年2月25日，星期天PECVD的缺点：化学气相沉积——等离子化学气相沉积化学反应过程十分复杂，影响薄膜质量的因素较多；工作频率、功率、压力、基板温度、反应气体分压、反应器的几何形状、电极空间、电极材料和抽速等相互影响。参数难以控制；反应机理、反应动力学、反应过程等还不十分清楚。第93页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——其它CVD方法★其它化学气相沉积方法（1）MOCVD是一种利用有机金属化合物的热分解反应进行气相外延生长薄膜的CVD技术。作为含有化合物半导体元素的原料化合物必须满足：常温下稳定且容易处理反应的副产物不应妨碍晶体生长，不应污染生长层；室温附近应具有适当的蒸气压第94页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——其它CVD方法满足此条件的原材料有：金属的烷基或芳基衍生物、烃基衍生物、乙酰丙酮基化合物、羰基化合物MOCVD的优点：①沉积温度低。减少了自污染，提高了薄膜纯度，有利于降低空位密度和解决自补偿问题；对衬底取向要求低；②沉积过程不存在刻蚀反应，沉积速率易于控制；③几乎可以生长所有化合物和合金半导体；④反应装置容易设计，生长温度范围较宽，易于控制，可大批量生产；⑤可在蓝宝石、尖晶石基片上实现外延生长第95页,共98页，2024年2月25日，星期天化学气相沉积——其它CVD方法MOCVD的主要缺点：①许多金属有机化合物有毒、易燃，给有机金属化合物的制备、贮存、运输和使用带来困难，必须采取严格的防护措施；②由于反应温度低，有些金属有机化合物在气相中就发生反应，生成固态微粒再沉积在衬