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Co/ITO薄膜体系中自旋相关输运效应研究的开题报告

研究背景：

自旋相关输运是固态物理研究领域的热点话题。自旋电子学作为信息存储和处理的一种新技术，已经引起了广泛的关注。特别是在磁性材料和半导体材料中，在自旋杂化、磁隧穿透效应、自旋霍尔效应等方面取得了重要的进展。近年来，注重对非磁性材料中的自旋运输现象进行研究也逐渐成为了热点领域，如联苯衍生物、碳纳米管……因此，深入研究自旋相关输运现象具有一定的理论意义和实际应用价值。

研究问题：

本研究选取了Co/ITO薄膜体系作为研究对象，考虑到Co的磁矩，ITO半导体材料的电学性能及CO/ITO接触界面的特殊性质，我们将从以下几个方面进行研究：

1.研究Co和ITO材料的电学和磁学性质，并通过XRD和TEM等手段进行结构和形貌分析。

2.研究Co/ITO界面的局域自旋极化(有无磁性)特性，探究其对电子输运行为的影响。

3.研究Co/ITO界面的自旋旋转效应，探究其对自旋霍尔效应的影响。

4.研究Co/ITO界面的谷粒效应，探究其对自旋波、自旋滞回等方面的影响。

研究方法：

本研究会采用多种方法，如磁性测量、电学测量、自旋极化测试、远程锁相技术及数据分析和处理方法等，研究Co/ITO薄膜的输运和磁学性质，从而揭示其自旋相关输运现象。

预期结果：

通过本研究，我们将揭示Co/ITO界面的自旋相关输运机制，为纳米器件中的自旋电子学提供理论基础，并对新型自旋电子器件的设计和制备等方面提供重要的科学参考。同时，该研究对于理解自旋旋转效应、自旋霍尔效应、自旋滞回等方面的基本物理性质，也具有很大的意义。