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半导体专题复习提纲

u分析pn结电流及耗尽区宽度与偏压的关系，指出pn结耗尽区中电场的方向

正向偏压耗尽区宽度减小，电流增大；反向偏压耗尽区宽度增加，电流减小（趋

于平衡）；电流方向：n区指向p区

u画出理想pn结正偏、反偏情况下的少子分布、电流分布示意图

u解释利用pn结形成变容器的原理，通过测量pn结电容能否获得半导体杂质的分布信

息？

变容器原理：应用p-n结在反向偏压时电容随电压变化的特性，来设计用达到此目的的

p-n结被称为变容器，即可变电容器

通过测量其电容、电压特性可用来计算任意杂质分布

u解释pn结击穿的机制

隧道效应：当一反向强电场加在p-n结时，价电子可以由价带移动到导带，这种电子穿

过禁带的过程称为隧穿．隧穿只发生在电场很高的时候．

雪崩倍增：电场足够大，电子可以获得足够的动能，以致于当和原子产生撞击时，可

以破坏键而产生电子-空穴对，新产生的电子和空穴，可由电场获得动能，并产生额外

的电子-空穴对生生不息，连续产生新的电子-空穴对．这种过程称为雪崩倍增

nBJT各区的结构有何特点？为什么？

发射区：掺杂浓度最高；

基区：掺杂浓度中等，基区的宽度需远小于少数载流子的扩散长度；

集电区：掺杂浓度最低；

nBJT工作在放大模式下的偏置情况是怎样的？画出p-n-pBJT工作在放大模式下的空

穴电流分布