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HF80P03D 6.0mΩ -30V -80A P-MOS TO-252 深圳黑锋科技.pdf

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HF80P03D

P-Ch30VFastSwitchingMOSFETs

Description

TheHF80P03DisthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSONand

gatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.TheHF80P03DmeettheRoHSand

GreeProductrequirement100%EASguaranteedwithfullfunctionreliabilityapproved.

Features

100%EASGuaranteedExcellentCdV/dteffectdecline

GreenDeviceAvailableAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

SuperLowGateCharge

BVDSSRDSONID

TypicalApplicationCircuit

-30V6.0mΩ-80A

HF80P03DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings

ParameterSymbolValueUnit

Drain-SourceVoltageVDS-30V

Gate-SourceVoltageVGS±20V

T25℃-80

C

ContinuousDrainCurrent@-10V1IDA

T75℃-42

C

PulsedDrainCurrent2IDM-175A

SinglePulseAvalancheEnergy3EAS31mJ

AvalancheCurrentIAS-25A

4T25℃PD31.2

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专注电子行业10年,主营电源管理IC、MOS、方案配套,裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合,为客户推荐最具性价比产品,降低成本,提高生产良率!

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