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16×16元热释电红外探测器阵列微图形化工艺研究的开题报告
开题报告:
题目:16×16元热释电红外探测器阵列微图形化工艺研究
一、研究背景与意义:
随着高科技技术的不断发展,红外探测器技术越来越成为焦点,红外探测器阵列技术对于无人机、热成像、红外导引等领域都有着十分重要的应用。其中热释电红外探测器是常见的一种探测器,其可以传输红外光信号,并能将其转化为电信号。通过热释电红外探测器阵列技术,能够更加精准地检测红外光信号,提高探测器的分辨率和灵敏度。因此,热释电红外探测器阵列微图形化工艺的研究显得尤为重要。
二、研究内容:
1.热释电红外探测器阵列微图形化工艺的基本原理研究。
2.控制硅基材料化学反应,实现微图形化阵列元件的制备。
3.研究探测器阵列微图形化工艺制作中需要注意的细节和工作步骤。
4.实验验证热释电红外探测器阵列微图形化工艺的制备过程,测试探测器的性能参数。
三、研究方法:
本研究利用MEMS加工技术,采用光刻、电子束曝光和离子束刻蚀等技术来制备红外探测阵列图形。随后采用干法刻蚀和湿法刻蚀等方法,将图形转移到探测器阵列器件上,并进行优化和调整。
四、预期成果和意义:
1.本研究将制备出16×16元热释电红外探测器阵列,并验证其探测性能以及其精度和灵敏度等性能指标,为红外探测器的进一步发展提供理论基础和实用经验。
2.本研究结果将有助于推动精细化加工技术在红外探测器制备领域的应用。同时,研究结果对提高我国的红外探测器制造技术水平和生产质量,以及保障国家安全具有积极的推动作用。
五、研究进度安排:
第一年:阅读相关研究文献,理论学习,掌握制备技术方法和加工工艺。
第二年:实验验证,并在此基础上优化组合阵列器件,计算其灵敏度,探索性能改进的方法。
第三年:整理数据,撰写论文,参加并发表相关国际会议论文。
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