磁电子学器件应用原理近代物理实验 (63).pdf

第26卷第2期物理学进展V01．26，No．2

2006年6月PROGRESSINPHYSICSJun．，2006

文章编号：1000—0542(2006)02—0180-48

磁电子学器件应用原理

蔡建旺

(中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室，北京100080)

摘要：本文介绍几种重要的磁电子器件的基本结构和工作原理，包括巨磁电阻与隧穿磁电阻

传感器、巨磁电阻隔离器、巨磁电阻与隧穿磁电阻硬盘读出磁头、磁电阻随机存取存储器、自旋转

移磁化反转与微波振荡器。自旋晶体管作为未来磁电子学或自旋电子学时代的基本元素，目前大

都还处在概念型阶段，本文也将对几种自旋晶体管的大致原理作简要介绍。

关键词：凝聚态物理学；磁电子学器件；综述；巨磁电阻；隧穿磁电阻；自旋转移

文献标识码：A

中图分类号：7570；7225；7570P；7550R

0引言

磁电子学(或者说更广义的自旋电子学)是研究纳米尺度下与电子的自旋属性相关的输运

标志着磁电子学发展的开始；7年后，磁隧道结室温隧穿磁电阻效应(TMR)的成功实现更为

这门新学科注入了新活力；翌年，理论预言电流垂直磁性多层膜输运过程的自旋转移(spin

新物理的同时，相关的电子器件的设计与开发同样聚敛人类的智慧，导致前所未有的技术进步

和巨大的商业市场，经过短短十多年的迅猛发展，部分磁电子器件已经进入了人们的生活，并

将随着它的继续发展深刻改变人们的生活。本文将首先介绍目前几种基于GMR、TMR的磁

电子器件的基本结构和工作特点。关于GMR材料与物理机制，国内外已经有若干综述论文

件的未来发展将可能产生深刻的影响，同时，全新的磁电子器件雏形已经奠定，本文将对自旋

转移效应的应用探索作简单描绘。将电子自旋自由度的操控与半导体器件相结合实现新的功

能器件，是研究者们最大的梦想，本文最后将总结目前仍很稚嫩的自旋晶体管的大致原理。

收稿日期：2006—04-26

基金项目：国家自然科学基金(编号科技部国家重点基础研究及中国科学院“百人计划”资助

万方数据

2期蔡建旺：磁电子学器件应用原理181

1巨磁电阻、隧穿磁电阻传感器

磁传感器主要指利用固体元件感知与磁有关的物理量的变化而检测出对象的状态和信息

的器件。依据其物理效应的不同，磁传感器主要为超导量子干涉仪、磁通门、霍尔元件和磁电

阻传感器，以及电磁感应传感器、磁弹性(应力)传感器、温度传感器(利用居里点磁性转变)、磁

光效应电流传感器、磁共振弱磁场探测等等。磁电阻传感器始于上个世纪70年代中期，这是

人们第一次利用磁性材料的导电特性与其磁化状态的相关性，即各向异性磁电阻(AMR)效应

制作的磁传感器。它具有灵敏度高、功耗低、体积小、可靠性高、温度特性好、工作频率高、耐恶

劣环境能力强、以及易于与数字电路匹配等优点，很快成为磁传感器家族中的后起之秀。30

多年来各向异性磁电阻传感器已发展成一个大家族，如磁性编码器、位移传感器、电子罗盘等，

它们广泛应用于工业与民用自动化设备、飞行器与导弹的导航、全球卫星定位、安全检测、探矿

等。有关各向异性磁电阻传感器的设计、制作与应用，成都电子科技大学的过璧君教授写过一

尽管如此，磁性材料的各向异性磁电阻比值室温下仅3％左右，磁性纳米薄膜“铁磁金属／

一到两个数量级，具有更大的磁场响应范围和更高的磁场灵敏度(见表1)；此外，AMR薄膜厚

度在十几个纳米以上才有效，而巨磁电阻效应与隧穿磁电阻效应涉及的磁性层厚度仅几个纳

米，这就使得GMR、TMR元件在更微小的尺度仍不受退磁场的影响，因而具有更高的空间分

辨率，本文有关巨磁电阻读出磁头的部分将对此加以进一步述叙；还有一点，各向异性磁电阻

角)，而巨磁电阻与隧穿磁电阻仅依赖于磁性层之间的磁化方向的相对夹角的余弦，故巨磁电

阻效应与隧穿磁电阻效应都是全角度依赖的。可以想见，利用巨磁电阻材料和隧穿磁电阻材

料设计制作传感器将是磁电阻传感器的一次革命，其精