半导体物理智慧树知到期末考试答案章节答案2024年北京理工大学.docx

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半导体物理智慧树知到期末考试答案+章节答案2024年北京理工大学

双极晶体管中共射极电流增益截止频率fβ比共基极电流增益截止频率fα低得多。（）

答案:对

正偏PN结耗尽层边界处少子浓度随正偏电压增加而线性增加。（）

答案:错

增量电阻随着偏置电流的增加而减小，并与pn结的I-V特性曲线的斜率成正比。（）

答案:错

NPN双极晶体管共基接法中输入电流随着输出电压UCE的增加而增加。（）

答案:错

肖特基势垒二极管中的电流是由多数载流子通过热电子发射跃迁内建电势差而形成的。（）

答案:对

半导体材料是固体材料的一种，其导电能力介于导体和绝缘体之间，电阻率约在106-10-2Ω.c

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