半导体中载流子的统计分布.pptx

半导体中载流子的统计分布;●状态密度

●费米能级和载流子的统计分布

●本征半导体载流子浓度的计算

●杂质半导体载流子浓度的计算

●简并半导体载流子浓度的计算;§3.1状态密度;;热平衡时载流子浓度决定于两个因素：;二、状态密度;波矢k～电子态的关系;1、理想晶体的k空间的状态密度;∴;（2）.三维晶体;∴单位k空间允许的状态数为：;2、半导体导带底附近和价带顶附近的

状态密度;球形等能面的半径k：;设这个球内所包含的电子态数为Z(E)：;导带底附近单位能量间隔的电子态数—量子态（状态）密度为：;(b)价带顶部;对Si、Ge、GaAs材料,价带顶有重空穴和轻空穴：;称mdp为价带空穴状态密度有效质量;(2)极值点ko≠0,(旋转椭球等能面情况);令：;同理，价带顶状态密度：;§3.2费米能级和载流子统计分布;整个导带的电子数N为：;f(E);二、费米（Fermi）分布函数与费米能级;没有被电子占有的几率为：;2、费米能级EF的特点：;(1)、f(E)与体系所处的温度T直接相关;例子：当量子态的能量比费米能级高

或低5kT时：;一般认为，在温度不高时，能量大于费米能EF的能级基本没有被电子占据；小于费米能EF的能级的量子态基本被电子所占据。;(2)、f(E)与体系费米能EF相关性;三、波尔兹曼（Boltzmann）分布函数;可见，此时费米分布几率和波尔兹曼分布几率

基本相等。当E－EF＞＞kT时，量子态被电子占据的概率很小，泡利不相容原理失去作用，

两种统计结果一样。;对于本征Si:;2.空穴的玻氏分布;服从Boltzmann分布的电子系统为非简并系统，相应的半导体是非简并半导体

服从Fermi分布的电子系统是简并系统，相应的半导体为简并半导体;四、导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度;1、导带电子浓度no和价带空穴浓度po;引入：;电子占据导带底Ec的几率;（2）.空穴浓度po;在室温时,常用半导体的导带、价带有效状态密度为：;2、影响no和po的主要因素：;①有效状态密度Nc、Nv～T;②占据EC、EV的几率f函数与T有关;（3）费米能级EF位置的影响;3、载流子浓度积;⑵影响因素;§3.3本征半导体的载流子浓度;即得到：;将NC、NV代入上式：;所以，一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征

半导体的EF近似在禁带中央Ei，只有温度较

高时，EF才会偏离Ei。

;二、本征载流子浓度及影响因素;代入h和k0的数值，引入电子惯性质量m0;通过实验测量很宽温度范围的本征载流子浓度，

可以得到Ge、Si、GaAs的Eg(0)为0.78ev、1.21eV、

1.53eV，和光学方法测定数值吻合。;2、一般半导体载流子浓度积与ni关系;3、本征半导体在应用上的限制;⑵本征载流子浓度随温度变化很大，随温度升高而迅速增加，强烈的温度相关性;例题;§3.4杂质半导体的载流子浓度;可以严格证明，杂质能级上电子占据的几率为：;电子占据施主能级ED的几率:;若施主浓度和受主浓度分别为ND、NA(杂质的量子态密度），所以施主能级上的电子浓度nD为：;同理，没有电离的受主浓度pA为：;结论分析：;●EF=ED;所以，相对于杂质能级ED，费米能级EF低时，施主全电离；EF高时，施主未电离.;二、杂质半导体载流子浓度和费米能级;假设只含一种施主杂质。在热平衡条件下，半导体是电中性的：;上式解析求费米能是困难的。当温度从高到低变化时，对不同温度还可将此式进一步简化。;1、杂质电离区，多子几乎完全是由杂质

电离提供；;（1）、杂质电离区;;

特征：nD+《ND，弱电离，少量施主杂质电离;低温弱电离区的费米能级，与温度、杂质浓

度以及杂质原子的种类有关。;;得到低温弱电离区的载流子浓度为：;结果分析:;(b)中间弱电离区：

本征激发仍略去，随着温度T的增加，nD+已足够大，故直接求解方程（8）;;在中间电离区，温度继续升高时，但2NC＞ND;特征：杂质基本全电离nD+≌ND

电中性条件简化为n0=ND（18）;这时，;注：强电离与弱电离的区分：;;定义：;Eg.;1、对于某n型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上。即EFnEFi;2、两块半导体Si室温下电子浓度分布为，;;∴;由电中性条件式（22）可得：;解上面方程（22）和（23），消去;结果讨论：;显然：n0》p0，这时的过渡区接近于强电离区。;（3）高温本征激发区;2.P型半导体的载流子浓度和费米能级;(2)饱和电离区;补偿半导体;2、当NA＞ND时，导带中电子和价带空穴浓度

;定性讨论：

杂质半导体载