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CuInSe薄膜太阳能电池研究进展

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冶金科学与工程学院王博093511021

摘要：

关键字：

铜锢稼硒是薄膜PV产品的重要一员，制备所用材料CIS和C工GS，一般称为

I一111一VIZ薄膜材料，是具有黄铜矿结构的化合物半导体。经过多年的研究

总结，其优点可以归纳如下「39一41〕:(l)通过掺入适量Ga替代部分工n，可

以使半导体禁带能隙在1.0~1.6eV之间可调，非常适合制备最佳带隙的半导体化

合

物材料，这是CIGS材料相对于硅系PV材料的最特殊优势。(2)CIGS材料的

吸收系数高，达到105cm一，。(3)利用CdS作为缓冲层(具有闪锌矿结构)，和

具有黄铜矿结构CIGS吸收层可以形成良好的晶格匹配，失配率不到2%。(4)

在光电转化过程中，作为直接能隙半导体材料，当有载流子注入时，会产生辐射

复合过程，辐射过程产生的光子可以被再次吸收，即所谓的光子再循环效应。(5)

CIGS系半导体没有光致衰退效应，这是Si系太阳电池很难克服的效应。(6)

CIGS薄膜的制备过程具有一定的