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0.13微米SOICMOS商用工艺开发中期报告
针对0.13微米SOICMOS商用工艺的开发，我们进行了中期报告，以下是报告的主要内容：
1.工艺流程设计
我们采用了传统的CMOS工艺流程，同时结合了新的材料和工艺技术，如：低介电常数材料和多晶硅夹层技术，来提高器件的性能和可靠性。此外，我们还引入了一些新的工艺步骤，如：光刻过程中的多层膜堆、氢离子注入和超浅源/漏极。
2.工艺特点
该工艺的最小门宽为0.13微米，具有以下特点：
-器件尺寸小，面积密度高；
-设计规则简单，有利于工艺稳定性；
-动态功耗较低，适用于低功耗应用；
-耐辐照性强，有利于应用于高剂量辐照环境；
-器件漏电流小，可提高器件的可靠性和寿命。
3.工艺参数测试结果
我们对该工艺的主要参数进行了测试，得到了以下结果：
-漏电流：在0.5伏的偏压下，漏电流小于1纳安；
-开关速度：在1伏的偏压下，开关速度达到2picoseconds；
-平均随机失效时间（MTTF）：大于10年。
4.存在的问题及改进计划
目前我们还存在一些问题，主要包括以下方面：
-多晶硅夹层工艺中的应力问题；
-多层膜堆的表面光洁度问题；
-线宽的控制和偏差问题。
我们计划通过调整工艺参数和引入新的工艺步骤来解决这些问题，并继续完善该工艺，以满足更广泛的应用需求。
以上是我们的中期报告，感谢您的关注。
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