一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计.pdf

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第43卷第5期电子器件Vol43No5

2020年10月ChineseJournalofElectronDevicesOct.2020

ADesignofSegmentedDriverCircuitforPowerMOSFET∗

11∗221

WANGJiushanꎬGUOXinglongꎬLIUGuizhiꎬXIAHuꎬZHUYouhua

(1.SchoolofInformationScienceandTechnologyꎬNantongUniversityꎬNantongJiangsu226000ꎬChinaꎻ

2.WuxiLinearPowerTechnologiesCo.Ltd.ꎬWuxiJiangsu214192ꎬChina)

Abstract:Anewdrivingcircuitofthepowertransistorispresentedtosolvetheproblemthatthegatevoltageover ̄

shootandtheelectromagneticinterferenceofthepowertransistorduringtheon ̄offprocess.Thedrivenpowertran ̄

sistorisslowlyopenedandclosedthroughthesubsectioncontrolofthedrivingcircuitlogicsignal.Themodeland

workingprocessofthetraditionalpowerdrivingcircuitareconsidered.Thesourceofconductionlossofpower

MOSFEThasbeenanalyzedandtherequirementsofthedrivingcircuitareraised.Theworkingprincipleand

workingprocessofthedesigneddrivecircuitareexpounded.Thewholedrivingcircuitissimulatedin0.18μm

processwithCadenceSpectreandrealizedbyPCBmeasurement.Theoreticalsimulationandtestresultsshowthat

thedesigncaneffectivelyreducetheovershootandoscillationofthepowertubeandensurethestabilityofthesystem.

Keywords:drivingcircuitsꎻpowerMOSFETswitchꎻpowerlossꎻEMIꎻDC ̄DCconverters

EEACC:1210ꎻ2570Adoi:10.3969/j.issn.10059490.2020.05.008

一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计∗

11∗221

王九山ꎬ郭兴龙ꎬ刘桂芝ꎬ夏虎ꎬ朱友华

(1.南通大学信息科学技术学院ꎬ江苏南通226000ꎻ2.无锡麟力科技有限公司ꎬ江苏无锡214192)

摘要:为减弱栅极电压过冲振荡ꎬ避免

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