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第43卷第5期电子器件Vol43No5
2020年10月ChineseJournalofElectronDevicesOct.2020
ADesignofSegmentedDriverCircuitforPowerMOSFET∗
11∗221
WANGJiushanꎬGUOXinglongꎬLIUGuizhiꎬXIAHuꎬZHUYouhua
(1.SchoolofInformationScienceandTechnologyꎬNantongUniversityꎬNantongJiangsu226000ꎬChinaꎻ
2.WuxiLinearPowerTechnologiesCo.Ltd.ꎬWuxiJiangsu214192ꎬChina)
Abstract:Anewdrivingcircuitofthepowertransistorispresentedtosolvetheproblemthatthegatevoltageover ̄
shootandtheelectromagneticinterferenceofthepowertransistorduringtheon ̄offprocess.Thedrivenpowertran ̄
sistorisslowlyopenedandclosedthroughthesubsectioncontrolofthedrivingcircuitlogicsignal.Themodeland
workingprocessofthetraditionalpowerdrivingcircuitareconsidered.Thesourceofconductionlossofpower
MOSFEThasbeenanalyzedandtherequirementsofthedrivingcircuitareraised.Theworkingprincipleand
workingprocessofthedesigneddrivecircuitareexpounded.Thewholedrivingcircuitissimulatedin0.18μm
processwithCadenceSpectreandrealizedbyPCBmeasurement.Theoreticalsimulationandtestresultsshowthat
thedesigncaneffectivelyreducetheovershootandoscillationofthepowertubeandensurethestabilityofthesystem.
Keywords:drivingcircuitsꎻpowerMOSFETswitchꎻpowerlossꎻEMIꎻDC ̄DCconverters
-
EEACC:1210ꎻ2570Adoi:10.3969/j.issn.10059490.2020.05.008
一种用于功率MOSFET的分段驱动电路设计∗
11∗221
王九山ꎬ郭兴龙ꎬ刘桂芝ꎬ夏虎ꎬ朱友华
(1.南通大学信息科学技术学院ꎬ江苏南通226000ꎻ2.无锡麟力科技有限公司ꎬ江苏无锡214192)
摘要:为减弱栅极电压过冲振荡ꎬ避免
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