次亚微米CMOS工艺下的ESD防护技术研究.pdf

目录CONTENTS

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02

ESD防护技术的重要性

03

次亚微米CMOS工艺的特

04

ESD

添加章节标题

ESD防护技术的重要性

ESD对集成电路的危害

静电放电可能ESD可能导致ESD对集成电

导致集成电路电路短路或断路的危害随工

性能下降或损路，影响芯片艺尺寸的减小

坏的正常工而增大

ESD防护技术在集成电路中的地位

集成电路中ESD防护ESD防护技术在集成ESD防护技术在集成

技术的地位：保护芯电路中的重要性：防电路中的发展趋势：

片免受静电放电的损止芯片因静电放电而随着集成电路技术的

害，确保芯片的正常损坏，提高芯片的可发展，ESD防护技术

工作。靠性和稳定性。也在不断进步和创新。

次亚微米CMOS工艺下ESD防护的挑战

芯片尺寸缩小：电源线变细：限集成电路复杂度

导致ESD敏感区制了ESD电流的提升：增加了

域增加，防护难泄放能力ESD事件的发生

度增大概率和影响范围

次亚微米CMOS

次亚微米CMOS工艺的发展历程

早期发展：20世纪80

开始受到关注。

成熟阶段：进入90年代，次亚微米CMOS

集成电路中。

当前状况：随着半导体制造技术的不断进步，次亚微米

为主流制造技术，不断推动着集成电路性能的提升。

次亚微米CMOS工艺的技术特点

集成度高

功耗低

速度快

次亚微米CMOS工艺的应用场景

微处理器和数字信号处理器

存储器芯片

传感器和执行器

ESD防护技术的研究现状和发

展趋势

ESD防护技术的分类和原理

静电放电防护技术的分类：a)人体放电模ESD防护技术的原理：

型(HBM)b)机器放电模型(MM)c)充电产生和积累b)

器件模型(CDM)