原创力文档- 1、本文档共23页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
1.4载流子的漂移运动
;电导的宏观理论：欧姆定律;电导的微观理论;u为迁移率，单位为cm-2/V˙s;四探针法测量薄膜电阻;1.5载流子的扩散运动;漂移电流：电子和空穴电流的方向都与电场方向一致;爱因斯坦关系;;1.6非平衡载流子;问题：外界注入撤销后，非平衡载流子怎样变化？;非平衡载流子的复合：复合的分类;准费米能级;准平衡：载流子分布在数量上不平衡，在能量上平衡。;刚注入时，系统处于非平衡状态（数量上不平衡，能量上不平衡）。;准费米能级:系统处于准平衡状态时，电子和空穴系统对应的费米能级称为准费米能级。;连续性方程;连续性方程;知识点总结;一、已知硅的晶格常数为0.543nm，计算：
;二、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)好价带极大值附近能量Ev(k)分别为
m0为电子惯性质量，k1=1/2a，a=0.314nm。试求：
1.禁带宽度
2.导带底电子有效质量
3.价带顶电子有效质量
4.价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化;三、300K时某半导体导带底有效态密度1×1019cm-3，价带顶有效态密度5.6×1019cm-3，禁带宽度0.67eV（300K)，0.76eV(77K)：
1.计算电子和空穴状态密度有效质量。
2.计算77K时的本征载流子浓度及本征半导体费米能级位置。
3.在该半导体中掺入施主杂质1.3×1018cm-3，Ec-ED=0.05eV,计算77K时的费米能级位置以及导带电子浓度。
4.如果施主杂质的掺杂浓度为1017cm-3计算300K时的费米能级位置以及价带空穴浓度。
5.如果同时掺有施主杂质1012cm-3或和受主杂质5x1011cm-3，分别计算0K时和300K时的费米能级位置;思考题
文档评论（0）