电力电子技术复习总结.docx

电力电子技术复习题1

第1章电力电子器件

电力电子器件一般工作在 开关 状态。

在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 开关损耗 。

电力电子器件组成的系统，一般由 控制电路 、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路 。

按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。

电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。

电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。

肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。

晶闸管的基本工作特性可概括为 正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 。

对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 大于 IH。

晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于

Ubo。

逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。

GTO的 多元集成 结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的_饱和区。

电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。

IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降，开关速度小于电力MOSFET。

按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 负 温度系数，在

1/2或1/3额定电流以上区段具有 正 温度系数。

在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管 ，属于半控型器件的是 晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有 IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。第2章整流电路

电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。

阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是 0-180O

_，其承受的最大正反向电压均为_ 2U ，续流二极管承受的最大反向电压为

2

2 2U_（设U为相电压有效值）。

2

2

单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 0-180O_，

单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为

2U 2 和_ 2U

2 2

；带阻

感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向

电压分别为

2U_和

2

2U_；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现

2

断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。

单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角?时，晶闸管

的导通角?=_π-α-?_;当控制角?小于不导电角?时，晶闸管的导通角?=_π-2?_。

电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm

等于

条件为

2U_，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连续的

2

??30o (U2为相电压有效值)。

三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差

_120o_，当它带阻感负载时，?的移相范围为 0-90o_。

三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管

对应的是_最高 的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是_最低_的

d相电压；这种电路?角的移相范围是_0-120o_，u波形连续的条件是_ _。

d

对于