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InGaNGaN量子阱发光特性及反常输运行为研究的开题报告

一、研究背景与意义：

InGaN/GaN量子阱是当前研究的热点，由于其在紫外光领域的应用潜力和物理特性，越来越受到人们的关注。InGaN/GaN量子阱具有高电子迁移率、高致密度、高亮度等特点，在照明、通信、生物医学等领域得到广泛应用，但其电子输运机制尚不明确。因此，对InGaN/GaN量子阱的电子输运特性进行深入研究，对于掌握其发光机制，提高其发光效率具有重要意义。

二、研究内容：

本研究主要关注InGaN/GaN量子阱发光特性及反常输运行为研究，具体研究内容如下:

1.制备InGaN/GaN量子阱结构；

2.对样品进行光致发光谱、电致发光谱、X射线衍射等表征，探究其光电性质；

3.利用时间分辨荧光光谱测量法，研究激子和载流子复合过程；

4.通过Hall效应和Shubnikov-deHaas效应研究样品的电学输运性质；

5.基于退火、放电等技术制备氮化镓和InGaN的导电性缺陷及表面态，研究在不同缺陷和表面态条件下样品的光、电性质变化。

三、预期目标：

1.确定InGaN/GaN量子阱的光学特性和电学特性，探究载流子复合机制和光致发光机制；

2.研究样品中的缺陷和表面态对其光、电性质的影响；

3.对样品的电学提高，进一步探究其发光效率和功率的提高率。

四、研究方法：

1.利用分子束外延法（MBE）制备InGaN/GaN量子阱；

2.通过光致发光光谱和电致发光光谱表征样品的光学特性；

3.采用蓝色高功率激光照射样品，研究激子和载流子的复合特性；

4.通过Hall效应和Shubnikov-deHaas效应研究样品的电学输运性质；

5.利用退火、放电等技术制备样品表面缺陷和表面态，研究样品光、电性质变化。

五、研究意义：

通过该研究，可以系统掌握InGaN/GaN量子阱发光特性及反常输运行为，为其应用和性能提高提供理论和技术基础。