2022112715974一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115588547A

(43)申请公布日2023.01.10

(21)申请号202211271597.4

(22)申请日2022.10.18

(71)申请人西南应用磁学研究所（中国电子科

技集团公司第九研究所）

地址621000四川省绵阳市滨河北路西段

268号

(72)发明人黄河倪经周俊张羽林亚宁

徐德超张强张敖谢海军

张景铭王亚东李雄

(74)专利代理机构绵阳市博图知识产权代理事

务所(普通合伙)51235

专利代理师杨金涛

(51)Int.Cl.

H01C17/242(2006.01)

权利要求书1页说明书5页附图5页

(54)发明名称

一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调

阻方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于铁氧体材料的薄膜

电路的激光调阻方法，属于电子元件技术领域，

其步骤包括溅射、光刻、电镀、负载老化、负载匀

胶、去胶、裂片和激光调阻；本发明在负载匀胶步

骤时，涂覆一层厚度适中的光刻胶，对薄膜负载

进行有效保护，并通过适当地调节激光参数，可

极大程度地降低电阻负载膜层气化切除损伤，最

终呈现效果为在20～60倍显微镜下观察薄膜负

载表面无调阻痕迹、无灼烧痕迹，这样一方面解

决了器件的隔离度和耐受功率降低，保证其性能

和可靠性不受调阻影响，另一方面，也能够满足

A军工、航天产品高质量外观要求。

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CN115588547A权利要求书1/1页

1.一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）溅射：在洁净的铁氧体材料表面通过磁控溅射设备按顺序制备出电阻负载层、粘附

层和金属导电层；

（2）光刻：制作金属电路图形、负载图形；

（3）电镀：分别电镀铜、电镀金加厚金属电路图形，得到薄膜负载基片；

（4）负载老化：将步骤（3）的薄膜负载基片进行加热；

（5）负载匀胶：采用负性光刻胶对负载膜层表面涂覆一层厚度为300～500nm的光刻胶

涂层；

（6）裂片；

（7）激光调阻：对所述薄膜负载基片完成激光调阻，激光调阻时，激光光源电流值1.0～

2.0A、打标速度100mm/s、空跳速度500mm/s、Q频65KHZ，工位功率60～85%、维持功率40～

60%；

（8）去胶。

2.根据权利要求1所述的一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，其特征在

于：步骤（1）中，通过磁控溅射制备的电阻负载层方阻阻值为30～150Ω。

3.根据权利要求1所述的一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，其特征在

于：步骤（4）中，加热温度为300±5℃，保温10分钟。

4.根据权利要求1所述的一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，其特征在

于：步骤（5）中，光刻胶粘度为30CP。

5.根据权利要求4所述的一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法，其特征在

于：匀胶速率为3000～4500转/分钟。

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CN115588547A说明书1/5页

一种基于铁氧体材料的薄膜电路的激光调阻方法

技术领