光谱技术在半导体测试中的应用.ppt

透射光谱反射光谱光致发光光谱拉曼光谱基本的光谱分析方法*?透射光谱*?反射光谱*?光致发光光谱*?拉曼光谱*傅立叶变换光谱仪紫外光谱仪显微拉曼光谱仪光谱仪介绍*傅立叶变化红外光谱仪利用Michelson干涉仪研究干涉图与光谱图之间的关系，通过测量双束干涉光所产生的干涉图和对干涉图进行Fourier变化的方法来测定和研究光谱。* 有一束光被探测器接受（另一束返回光源）探测器所接受的信号振幅

Ap=rat(1+e-iΦ)

其中R，T为分束片的反射比和透射比，（χ为光程差)探测器上的信号强度为输入光束强度*②若输入光具有任意光谱分布（连续光），上式单色光即可认为是一无限窄线宽的谱元，连续光可对所有波段积分得到

对干涉图I0(χ)直接进行Fourier逆变换可得光谱图移动动镜（改变χ）即为不同波数（频率）下的光谱强度即光谱图干涉图I0(χ)*③实际采用近似处理a)因为χ即干涉图的采样点不可能无限长（即Michelson干涉仪的臂长不可能是无限的），故引入切趾函数来消除旁瓣震荡A(χ,ε)b)光路，采样条件，电子电路可能引入附加相移?相位校正相位误差ε快速傅立叶变换法（FFT）**2，优点多通道优点（Fellgeff优点） 在维持同样测量时间的条件下可以获得比色散型光谱仪高得多的信噪比 高通量优点（Jacquinot优点） 色散型光谱仪用狭缝，FTIR接受的是来自圆形光源或光孔的所有辐射能量，它比狭缝接收到的通量有数量级的提高*3，FTIR光路图Laser(He-Ne)的引入是为了准直，因为6328?的He-Ne是严格正确，对整个FTIR进行校正*FTIR内部结构图*??工作波段（cm-1）光源（Source）Quartz-Halogen25000～2000Ever-Glo9600～20分束片（Beamsplitters）Quartz25000~2800CaF214500~1200KBr7400～350SolidSubstrate700～20探测器（Detectors）Si25000～8600InSb11500～1850MCT-HighD11700～800DTGS/TEC12500～350DTGS/PE700～50SiBolometer600～20*HR460和THR1000单色仪JovinYvonHR460和THR1000内部结构紫外光谱仪*JYLabRamHR800UV型拉曼光谱仪拉曼光谱仪*HVPE方法在宝石衬底上生长的Si掺杂GaN，厚度为3.8μm;n型(1.5×1018cm-3);样品信息*半导体的吸收光谱示意图*带间跃迁电子对介电函数的贡献横光学模声子对介电函数的贡献自由载流子对介电函数的贡献*凝聚态光谱与光电子物理实验室总反射率：界面振幅反射率：*光谱技术在半导体测试中的应用*光与半导体材料的几种基本相互作用吸收、散射、发光基本的光谱分析方法透射光谱、反射光谱、拉曼光谱、发光光谱光谱仪器介绍傅立叶变换光谱仪、紫外光谱仪、显微拉曼光谱仪实验样品介绍*光与半导体材料的几种基本相互作用1.光在半导体中的传播若所研究的半导体是光学各向同性和均匀的，在线性应范围内，其宏观光学性质可以用复数折射率来概括。n是通常的折射率，k为消光系数。沿x方向传播的平面波，电场强度按如下形式传播在消光系数不为0的介质中，光电磁波振幅随传播距离按e-ωkx/c的形式下降*实验证明，如果能量不是很高，光强随传播距离的变化关系：α是和光强度无关的比例系数，称为媒质的吸收系数*3，光的反射和透射反射系数R，透射系数T*半导体的吸收光谱示意图光与半导体材料的几种基本相互作用2.光在半导体中的吸收*(1)本征吸收物理图像（带－带跃迁）1.本征吸收物理图象：足够能量的光子使电子激发，越过禁带，而在价带中留下一个空穴发生本征吸收，光子能量必须等于或者大于禁带宽度Eg：hν≥hν0=Eg当频率低于ν0时，不可能发生本征吸收，吸收系数迅速下降。*典型半导体的带隙值

GaAs:Eg=1.43ev,λ0=0.867μm，ν0=3.46×1014Hz

Si: Eg=1.12ev,λ0=1.1μm，ν0=2.727×101