数字逻辑与数字系统-逻辑门电路讲解.ppt

第2章逻辑门电路本章主要内容半导体器件基础门电路的相关概念基本逻辑门电路TTL与非门电路——工作原理和电压传输特性其他类型TTL门电路——OC门和三态门MOS逻辑门——NMOS和CMOS门电路3半导体三极管半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。一.BJT的结构三极管的结构特点：1、发射区的掺杂浓度大，面积小，作用是发射载流子；2、集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，作用是收集载流子。3、基区掺杂浓度最低，且制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，作用是传输载流子。4、发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。5、发射区与集电区的结构不同，不能互换。输入特性曲线

以基极b和发射极e之间的发射结作为输入回路共发射极接法输入特性曲线输出特性曲线可以分为三个区域:以集电极c和发射极e之间的回路作为输出回路半导体三极管的型号门电路的相关概念用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路，称为门电路。与基本逻辑关系相对应。常用的门电路有：与门、或门、与非门、或非门、异或门等。集成逻辑门电路，是把门电路的所有元器件及连接导线制作在同一块半导体基片上构成的。它是组成一个较大数字系统的基本单元。门电路的相关概念集成度小规模(SmallScaleIntegratedCircuit,SSI)是由十几个门电路构成的。中规模(MediumScaleIntegratedCircuit,MSI)是由上百个门电路构成的。大规模(LargeScaleIntegratedCircuit,LSI)是由几百个至几千个门电路构成的。超大规模(VeryLargeScaleIntegratedCircuit,VLSI)是由一万个以上门电路构成的。门电路的相关概念应用目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL(Transistor-TransistorLogic)集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS(Metal-OxideSemiconductor)集成电路。TTL门电路属双极型数字集成电路，其输入级和输出级都是三极管结构，故称TTL。MOS电路常用两种结构，一是NMOS门电路，二是CMOS门电路。CMOS门电路是由NMOS管和PMOS管组成的互补MOS(Complementary)集成电路，属单极性数字集成电路。2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门实现与逻辑功能的电路，称为与门。2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门2.1基本逻辑门电路⒈二极管与门2.1基本逻辑门电路⒉或门实现逻辑或功能的电路，称为或门。2.1基本逻辑门电路⒉或门2.1基本逻辑门电路⒉或门2.1基本逻辑门电路⒉或门2.1基本逻辑门电路⒉或门2.1基本逻辑门电路⒉或门2.1基本逻辑门电路⒊非门(反相器)实现逻辑非门功能的电路，称作非门2.1基本逻辑门电路⒊非门(反相器)2.1基本逻辑门电路⒊非门(反相器)2.2TTL与非门电路⒈TTL与非门的工作原理⑴TTL与非门的典型电路⑴TTL与非门的典型电路输入级由多发射极晶体管T1和电阻R1组成，通过T1的各个发射极实现与逻辑功能。⑴TTL与非门的典型电路中间级由T2、R2、R3组成。其主要作用是从T2管的集电极c2和发射极e2同时输出两个相位相反的信号，分别驱动T3和T5管，来保证T4和T5管有一个导通时，另一个就截止。⑴TTL与非门的典型电路输出级由R4、R5、T3、T4、T5组成，T5是反相器，T3、T4组成复合管作为T5管的有源负载，并与T5组成推拉式电路，使输出无论是高电平或是低电平，输出电阻都很小，提高了带负载能力。⑵工作原理则VB1=VIL+VBE1=0.3+0.7=1VVB2=VC1=VCES1+VIL=0.1+0.3=0.4V⑵工作原理结论：电路只要输入有一个为低电平时，输出就为高电平；只有输入全为高电平时，输出才为低电平。该门为与非门。即1.输入不全为1时，输出为12.输入全为1时，输出为0真值