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InAsInGaAs量子点红外探测器光电特性研究的开题报告

一、研究目的和意义

随着红外技术的发展与应用，红外探测器在军事、医学、工业等领域得到广泛的应用。InAs和InGaAs是旋转表面生长技术中的常用材料，它们的能带结构和光特性与其他材料有很大的差别，因此在红外领域有着广泛的应用。本文旨在研究InAsInGaAs量子点红外探测器的光电特性，为进一步提高红外探测器的性能和应用提供理论和技术支持。

二、研究内容

1.InAsInGaAs量子点红外探测器的制备和表征

2.InAsInGaAs量子点红外探测器的光电特性测试及分析

3.探究量子点结构对红外探测器光电性能的影响

三、研究方法和技术路线

1.利用分子束外延技术在InP基片上生长InAsInGaAs量子点结构。

2.利用XMCD（X-rayMagneticCircularDichroism）法、PL（Photoluminescencespectra）光致发光、AFM（AtomicForceMicroscope）原子力显微镜、TEM（TransmissionElectronMicroscopy）透射电镜和XRD（X-rayDiffraction）X光衍射仪等测试分析量子点结构的粒径、形状、分布和晶体结构。

3.利用悬挂桥法、光电流测量法、伏安特性测试法和时间响应测试法等测试分析量子点结构红外探测器的光电性能。

四、预期结果

1.成功制备InAsInGaAs量子点结构红外探测器。

2.探究量子点结构对红外探测器光电性能的影响。

3.提高量子点红外探测器的性能和应用。

四、研究进展与计划

目前已完成红外探测器材料的生长，接下来将对样品进行表征和性能测试分析。预计研究工作将于2022年底完成。

五、参考文献

[1]张威,胡鑫,谈娜娜,等.基于扩散催化法生长的InAs纳米线的电学特性研究[J].物理学报,2016,65(22):225203.

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