《材料科学基础》课件-实际晶体中的位错.pptVIP

?*重叠。*动画？*组成扩展位错的两个Shockley分位错由于交互作用而必然处于相互平行的位置。它们之间的距离d即是层错区的宽度，亦称扩展位错的宽度。由于位错的分解导致能量降低，而形成层错又使能量增加。因此当两种能量平衡时，不全位错之间的层错区就不再扩展，达到了平衡宽度d。层错能越高，扩展位错的平衡宽度越窄。对于Cu，计算得出d0在2.2和7.0nm之间。Ag的d0约为Cu的两倍；而Al中的层错能较高，d0约为Cu的1/4，全位错基本上不可能扩展。由于扩展位错的宽度主要取决于晶体的位错能，凡影响γ的因素，必然影响d的大小。当杂质原子或其它因素使层错面上某些地区的能量提高时，该地区的扩展位错就会变窄，甚至收缩成一个结点，即又变成原来的全位错，这个现象称为位错的束集。一个柏氏矢量为b的全位错分解为两个柏氏矢量分别为b1和b2的Shockley分位错的过程表示为b→b1+b2。其物理意义是，全位错线的一边，例如左边（I区），不滑移；右边的一部分（II区）滑移一次，滑移矢量为b1；另一部分（III区）滑移两次，第一次滑移矢量为b1，第二次为b2，因而总滑移矢量为b1+b2=b。可见，第I区和第III区都是无层错区，中间的第II区是有层错区。各区的边界就是Shockley分位错。?柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错称为“全位错”(perfectdislocation;wholedislocation)，其中柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错称为“单位位错”，故全位错滑移后晶体原子排列不变；柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错称为“不全位错”(imperfectdislocation)，其中柏氏矢量小于点阵矢量的位错称为“部分位错”(partialdislocation)。不全位错一般表现为晶体原子堆垛层错区与无层错区的边界线，其滑移后原子排列发生变化。3.2.6实际晶体结构中的位错（Ａ）实际晶体中位错的柏氏矢量实际晶体结构中，位错的柏氏矢量不能是任意的，它要符合晶体的结构条件和能量条件。所谓晶体结构条件是指柏氏矢量必须连接一个原子平衡位置到另一平衡位置；从能量条件看，由于位错能量正比于b2，而b越小其越稳定，所以单位位错是最稳定的位错。结构类型柏氏矢量方向|b|数量简单立方3面心立方6体心立方4密排六方3典型晶体结构中单位位错的柏氏矢量(B)堆垛及堆垛层错堆垛顺序：FCC、BCC、HCP实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简称层错。（C）部分位错（不全位错）层错终止在晶体内部所形成的边界就是不全位错。面心立方晶体中有两种类型的不全位错。（1）肖克莱（Shockley）不全位错B层原子一部分滑移了，而另一部分不滑动。滑移一次的区域和未滑移区域的边界M处形成一个柏氏矢量小于滑移方向上原子间距的分位错，称其为肖克莱不全位错。刃型肖克莱位错在（110）面上的投影肖克莱不全位错的特点位于孪生面上，柏氏矢量沿孪生方向，且小于孪生方向上的原子间距：。不仅是已滑移区和未滑移区的边界，而且是有层错区和无层错区的边界。可以是刃型、螺型或混合型。只有通过局部滑移形成。即使是刃型肖克莱不全位错也不能通过插入半原子面得到。即使是刃型肖克莱不全位错也只能滑移，不能攀移。因为滑移面上部（或下部）原子的扩散不会导致层错消失，因而有层错区和无层错区之间总是存在着边界线，即肖克莱不全位错线。即使是螺型肖克莱不全位错也不能交滑移。因为螺型肖克莱不全位错是沿〈112〉方向，而不是沿两个{111}面（主滑移面和交滑移面）的交线〈110〉方向，故它不可能从一个滑移面转到另一个滑移面上交滑移。(2)Frank位错当抽去或插入一层(111)面时，层错面相对位移了一个(111)面间距(a[111]/3)。层错与完整部分交界处的位错的柏氏矢量就是a[111]/3。这类部分位错称Frank位错。弗兰克不全位错的特点位于{111}面上，可以是任何形状，包括直线、曲线和封闭环（称为弗兰克位错环）。但无论是什么形状，它总是刃型的。和{111}面垂直。弗兰克不全位错不能滑移、只能攀移。这种不可能滑移的位错便称为定位错，而肖克莱不全位错则是可滑位错。b不是fcc晶体的滑移方向。（D）位错反应位错之间相互转换(即柏氏矢量的合成与分解)称为位错反应（dislocationreaction）。自发的位错反应必须满足以下两个条件