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常见应急事故处理方法及注意事项

为增强员工对突发生产事故应急处理的能力，现将部分常见应急事故处理方法列举如下，望各位员工认真学习！

常见事故：

(一)停水

1) 发生停水或水压报警时，先确认水压表是否偏低，水管和炉筒温度是否明显升高。

1. 快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。

2. 关闭加热功率。

3. 复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。

4. 降低埚位到熔料埚位。

5. 关闭埚转。

2) 停水后水压恢复。

1. 冷却水恢复供应时，监控水压，有异常立即报告管理人员。

2. 水压恢复时，炉内无严重氧化现象，熔体未结晶或已结晶但液面结晶小

于10分钟且石英坩埚未破裂，按加热功率开，调节功率到熔料功率。

3.启动埚转，设定为2转/分。

4.熔化结晶面，在此期间应密切炉内有无严重氧化现象，注意硅料液面熔化情况，一旦发生严重氧化现象、硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。

5.待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。

3) 停水后水压无法恢复，或恢复时熔体已结晶大于10分钟。

1. 在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。

2. 停炉，充分冷却后拆炉

(二)

1)

1.

2.

3.

4.

停电

若炉子工作时，加热部分停电。

复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。降低埚位到熔料埚位。

关闭埚转。

加热部分恢复时，若时间较短（液面未结晶或液面已结晶但小于10分钟且石英坩埚未破），按加热功率开，将功率升至熔料功率。

5. 启动埚转，设定为2转/分。

6. 熔化结晶面，在此期间应密切注意硅料液面熔化情况，一旦发生硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。

7. 待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。

8. 加热部分恢复时，若停电时间较长（液面结晶已经大于10分钟或石英坩埚破裂），快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。

9. 在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。

10.停炉，充分冷却后拆炉。

2) 若炉子工作时，加热电源、控制电源同时断电。

1.

立即关闭抽空阀门。

2.

手动摇手柄降低埚位使晶棒与硅液脱离。

3.

同时将氩气流量调为最大，充氩气至-0.05MPa左右，关闭氩气。

4.

电源恢复时，立即开真空泵，待半分钟后开抽空阀门，将氩气流量恢复

正常。

5.

若时间较短（液面未结晶或液面已结晶但小于10分钟且石英坩埚未破），按加热功率开，将功率升至熔料功率。

6.

启动埚转，设定为2转/分。若晶体或籽晶与液面结晶在一起，则要等晶体或籽晶与液面结晶面熔化并脱离后方可启动。

7.

熔化结晶面，在此期间应密切注意硅料液面熔化情况，一旦发生硅液面下降，立即停炉并上报管理人员。

8.

待结晶全熔后，手动调节功率为引晶功率，温度稳定后，开始引晶。

9.

10.

若停电时间较长（液面结晶已经大于10分钟或石英坩埚破裂），快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。

在熔体结晶15分钟时，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒100mm。

11.

停炉，充分冷却后拆炉。

(三)

石英坩埚裂开或漏硅

1.

观察炉内硅液面有明显下降，炉压有明显回升现象，即可能漏硅。

2.

立即关闭加热功率。

3.

关闭抽空球阀，充氩气至-0.05pa左右，关闭氩气。

4.

复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。

5.

关闭埚转。

6.

快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。

7.

8.

在熔体结晶15分钟时，如有可能，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒

100mm。

停炉，充分冷却后拆炉。

(四)

石墨坩埚裂开

1.

埚转打开后，液面晃动异常严重，观察电流表指针有摆动现象，即可能石墨埚破裂。

2.

立即关闭加热功率。

3.

复位控制柜面板上单晶生长控制器，使其处于手动状态。

4.

关闭埚转。

5.

快速提升晶体或籽晶，使晶体或籽晶脱离液面150mm。

6.

7.

在熔体结晶15分钟时，如有可能，快速提升坩埚，使坩埚顶起导流筒

100mm。

停炉，充分冷却后拆炉。

注意事项：

1、在装完料抽空检漏时，真空泵开启，应先开真空泵电源，再开球阀；关闭时，应先关球阀，再关真空泵电源。切记不要将顺序记反，避免回气污染原料。

2、不进行快速操作时（晶快升，快降，埚快升，快降），将手操器按件推到“禁止”状态。需要打快速时，打到“允许”状态。进行快速操作时应当时刻注意炉内情况，避免出现溅硅、漏硅、硅跳、籽晶卡头断裂、重锤熔化等事故。

3、加热时必须打开水温报警，加热电流过低报警，加热器异常报警等。避免因人为疏忽发生异常