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一种碳化硅外延生长反应室.pdfVIP

一种碳化硅外延生长反应室.pdf

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    本发明涉及半导体设备技术领域，特别涉及一种碳化硅外延生长反应室，包括：第一发热体与第二发热体，所述第二发热体的内部的顶端设有放置槽，所述第一发热体外表面套接有第一连接板，所述第二发热体的外表面套接有第二连接板，所述第一连接板与第二连接板的端面分别设有第一连接孔与第二连接孔，所述第一连接孔与第二连接孔分别活动连接第一连接轴与第二连接轴，所述第一连接轴与第二连接轴设置在第一端板的一侧面，所述第一端板的端面连接保温筒，通过设置第一端板，实现对第一发热体与第二发热体的固定，可在使用过程中，防止第一发热体

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN118064970A

    (43)申请公布日2024.05.24

    (21)申请号202410414999.8

    (22)申请日2024.04.08

    (71)申请人中国计量大学

    地址310018

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