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本发明公开了半导体加工技术领域的一种提高钛钨溅镀覆盖率的工艺，包括如下步骤：S1、第一次通入气体；S2、第一次点火；S3、第一次沉积；S4、第二次点火；S5、第二次沉积；S6、断电；S7、关闭闸阀；S8、排气；S9、保持温度、压力；S10、抽气；S11、第二次通入气体；S12、第三次点火；S13、第三次沉积S14、二次断电；S15、结束溅镀。本发明通过调整成分段沉积来降低沉积的速度以提高钛钨溅镀层薄膜的覆盖率，同时调整功率、氩气流量来调整钛钨溅镀层薄膜的电阻率及内应力以符合技术要求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118064844A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410212283.X
(22)申请日2024.02.27
(71)申请人日荣半导体（上海）有限公司
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