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本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件的欧姆接触电阻；在不减少接触面积的同时，大量减少小尺寸孔阵的分布，减少金属尖峰毛刺的产生，从而优化电压分布，提高击穿电压；利用肖特基/欧姆混合漏电极在不改变源漏实际间距下，等效缩短源漏间距，进一步缩小器件特征尺寸，从而提高其工作频率，提高其射频功率特性，同时，漏电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073411A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410216094.X
(22)申请日2024.02.27
(71)申请人西安电子科技大学
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