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本发明一种再生项目加快去除不同工艺产生的氮化膜的方法针对使用不同酸碱腐蚀药液，从而去除不同工艺的氮化膜，更好的控制膜去除后的硅片表面面状态，从而降低了再生成本提高良率和产量。每一种药液与对氮化膜发生反应生成的物质可溶于水，不会污染药液和槽体，不对后续作业的硅片产生污染，且不会过度损伤硅基底，整个流程对硅基底的腐蚀量小于2um，提高再生清洗成功率，稳定硅片循环再生的次数。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118073194A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202410228426.6
(22)申请日2024.02.29
(71)申请人安徽富乐德长江半导体材料股份有
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