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本发明公开一种半导体工艺设备，所公开的半导体工艺设备包括反应腔室、晶圆承载装置、以及至少部分设于所述反应腔室内的多个气体输入通道，其中：所述晶圆承载装置设于所述反应腔室内，所述晶圆承载装置设有晶圆承载区；所述多个气体输入通道输入的气体可将所述反应腔室内的空间分隔成多个吹扫区域和多个反应区域，相邻的两个所述反应区域均通过所述吹扫区域隔离；所述晶圆承载区可随所述晶圆承载装置的转动，而经过所述多个吹扫区域和所述多个反应区域。上述方案可以解决相关技术中的半导体工艺设备的工艺效率较低的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN118064869A
(43)申请公布日2024.05.24
(21)申请号202211422699.1
(22)申请日2022.11.14
(71)申请人北京北方华创微电
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